HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng)性能:
涂布方式:氣相沉積
使用溫度:RT+50-200℃
真空度:≤1torr
設(shè)備材質(zhì):內(nèi)箱采用316L醫(yī)用不銹鋼
運行方式:一鍵運行,自動完成工藝處理,并有結(jié)束提示音
尺寸大?。?50*450*450mm
兼容性:2-12寸晶圓及方片等
儲液瓶:HMDS儲液量1000ml
真空泵:進口干式真空泵
數(shù)據(jù)處理:多個工藝配方存儲,使用數(shù)據(jù)記錄
保護裝置:低液位報警,HMDS藥液泄漏報警,超溫保護并斷開加熱,漏電保護等
HMDS專用烘箱,HMDS真空涂膠系統(tǒng)適用行業(yè)
MEMS、濾波、放大、功率等器件,晶圓、玻璃、貴金屬,SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)、ZnO(氧化鋅)、GaO(氧化鎵)、金剛石等第三代半導體材料。
SiC碳化硅(HMDS預處理系統(tǒng))是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
碳化硅原材料核心優(yōu)勢體現(xiàn)在:
(1)耐高壓:更低的阻抗、更寬的禁帶寬度,能承受更大的電流和電壓,帶來更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率;
(2)耐高頻:SiC器件在關(guān)斷過程中不存在電流拖尾現(xiàn)象,能有效提高元件的開關(guān)速度(大約是Si的3-10倍),適用于更高頻率和更快的開關(guān)速度;
(3)耐高溫:SiC相較硅擁有更高的熱導率,能在更高溫度下工作。
相比傳統(tǒng)的硅材料(Si),碳化硅(SiC)的禁帶寬度是硅的3倍;導熱率為硅的4-5倍;擊穿電壓為硅的8-10倍;電子飽和漂移速率為硅的2-3倍。
碳化硅晶片應用于肖特基二極管、 MOSFET、IGBT等,主要用于電動汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、數(shù)據(jù)中心、充電等基礎(chǔ)建設(shè),主要用于5G通信、車載通信、國防應用、數(shù)據(jù)傳輸、航空航天。