河南次氯酸鈉發(fā)生器-電解鹽水廠消毒設(shè)備

    河南自來水廠消毒使用次氯酸鈉發(fā)生器的好處是原料只要是鹽，非常方便采購(gòu)和運(yùn)輸儲(chǔ)存，也安全經(jīng)濟(jì)。

河南次氯酸鈉發(fā)生器-電解鹽水廠消毒設(shè)備

產(chǎn)品特點(diǎn)：
1、原料安全易購(gòu)：采用無隔膜電解法制備，原料僅為食鹽，安全無毒，運(yùn)輸儲(chǔ)備方便，市場(chǎng)供應(yīng)充足。
2、資質(zhì)齊全：山東和創(chuàng)智云環(huán)保裝備有限公司擁有次氯酸發(fā)生器全系列涉水衛(wèi)生許可批件和全系列醫(yī)院污水消毒備案。
3、運(yùn)行穩(wěn)定：山東和創(chuàng)智云環(huán)保裝備有限公司成立13年來，主業(yè)深耕水處理消毒設(shè)備，大中小型自來水廠、污水廠、電廠業(yè)績(jī)分布于全各地。

次氯酸鈉發(fā)生器系統(tǒng)組成部件介紹
1、稀鹽水預(yù)制：
稀鹽水箱：精制鹽投入到溶鹽罐后，通過人為攪拌對(duì)鹽顆粒進(jìn)行初次溶解達(dá)到免攪拌溶解，形成比例鹽水，(或者增加臺(tái)鹽水循環(huán)泵)。
2、次氯酸鈉發(fā)生器主機(jī) （額定產(chǎn)氯量：50-20000g/H ）
次氯酸鈉發(fā)生器主機(jī)是本成套系統(tǒng)的組成部分，它是使用電解稀鹽水制取成次氯酸鈉溶液的關(guān)鍵部件；包含部件有：電解槽、電解電源、流量及溫控開關(guān)、操作面板、電解電壓/電流顯示等；
3、電解槽總成由電解槽體及電解電組成；
電解槽體：管式電解槽，使用高耐腐蝕的UPVC管道制作而成，內(nèi)部電板陰陽(yáng)之間采用PVDF材料進(jìn)行隔離，具有耐腐蝕、穩(wěn)定性高、使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn)；
電板：板式電，電的陰陽(yáng)基材全部采用純鈦材料制成，在電解過程中，陰是得到保護(hù)的，而陽(yáng)是受損失的，因此陽(yáng)表面必須做涂層保護(hù)，發(fā)生器電陽(yáng)表面采用經(jīng)納米技術(shù)處理，顆粒精細(xì)度達(dá)到20納米的釕、銥氧化物進(jìn)行涂層，分25次以上涂層，涂層厚度20微米，可電長(zhǎng)時(shí)間、穩(wěn)定的使用壽命，同時(shí)電板可滿足導(dǎo)條件，方便快捷的處理電板上的結(jié)垢。
4、使用壽命：次氯酸鈉發(fā)生器的電免費(fèi)使用1年,正常使用壽命可達(dá)5 -8年。
5、超聲波流量計(jì)：主管道上安裝超聲波流量計(jì)，監(jiān)測(cè)管網(wǎng)的瞬時(shí)流量和總流量，并和加藥設(shè)備連鎖，加藥根據(jù)流量大小投加；
6、溫度控制開關(guān)：電解槽電解液出液均帶有PT100溫度傳感器，機(jī)器開始運(yùn)行時(shí)，控制中心開始檢測(cè)溫度傳感器，當(dāng)溫度超出設(shè)定值時(shí)，機(jī)器馬上停止工作，發(fā)出超溫報(bào)警信號(hào)，同時(shí)機(jī)器處于待機(jī)狀態(tài)，確保機(jī)器的安全可靠運(yùn)行；
7、高性能長(zhǎng)壽命核心電解電：電解過程中，陰是得到保護(hù)的，而陽(yáng)是受損失的，因此陽(yáng)表面必須做涂層保護(hù)，發(fā)生器電陽(yáng)表面采用經(jīng)納米技術(shù)處理，采用精細(xì)度達(dá)到20納米的釕、銥氧化物進(jìn)行涂層，可電有很長(zhǎng)的使用壽命
8、電解電源：次氯酸鈉發(fā)生器采用高頻型恒流電子開關(guān)電源做為電解電源，由于采用高頻整流技術(shù)，因此交直流轉(zhuǎn)換效率達(dá)到95%以上，發(fā)熱量很低，運(yùn)行穩(wěn)定、體積小，比普通的硅整流器的電轉(zhuǎn)換效率提高20%以上（《次氯酸鈉發(fā)生器》GB17126標(biāo)要求電流效率≥72%）。
9、存儲(chǔ)罐：是發(fā)生器所制取的全部次氯酸鈉溶液的存儲(chǔ)容器，可帶有液位控制，當(dāng)液位達(dá)到高位時(shí)，處于滿槽狀態(tài)，發(fā)生器暫停運(yùn)行，并點(diǎn)亮滿槽燈，隨著溶液的逐漸被使用，當(dāng)液位下降補(bǔ)液位時(shí)，發(fā)生器重新啟動(dòng)運(yùn)行，滿槽燈滅，當(dāng)液位下降低位控制點(diǎn)以下時(shí)，表示存儲(chǔ)槽的次氯酸鈉溶液已經(jīng)很少，系統(tǒng)會(huì)暫停自動(dòng)投氯，直液位上升低位控制點(diǎn)以上。