EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 LICHTBAND
新啟用的高頻發(fā)生器，使用前先在體外用一塊瘦肉或肥皂放在水盆中試調(diào)，以證明儀器工作正常，且可調(diào)整電流大小。電流太小，切割困難，切下的組織粘在電切環(huán)上；過大則切割過深，組織損傷大，且電切環(huán)容易損壞。
EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 LICHTBAND
高頻發(fā)生器（radioffequency generator）又稱射頻發(fā)生器。電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜/質(zhì)譜等分析中用來產(chǎn)生等離子體炬的裝置。它產(chǎn)生的高頻電流輸給電感線圈，以激勵石英炬管（置于線圈中）內(nèi)的氬氣，形成等離子體焰炬。
分自激式和他激式（晶控型）振蕩器兩種類型。振蕩頻率在3～50MHz，常為27.12MHz和40.68MHz，輸出功率在0.7～7kW，常用為1.0～2.0kW。
ICP應(yīng)用的高頻發(fā)生器有自激式和他激式（晶控式）兩種基本類型。自激式是由一個發(fā)射管同時完成振蕩、激勵和功率放大等功能，他激式則是振蕩與激勵和功率放大等分開。自激式的優(yōu)點是電路簡單、調(diào)試容易，當振蕩電路參數(shù)變化引起頻率遷移時，有自動補償作用，對功率輸出影響較小且造價較低，缺點是功率轉(zhuǎn)換效率低，振蕩頻率穩(wěn)定度不高（一般在5%～20%范圍內(nèi)）。他激式的主要優(yōu)點是振蕩頻率穩(wěn)定（頻率變化一般低于10-4），功率穩(wěn)定（變化小于1%），功率轉(zhuǎn)換效率高，抗干擾能力強，可直讀功率，此外由于采用了高頻電纜，容易將ICP形成裝置與發(fā)生器主體分開放置，給光源與各種攝譜儀空間位置的配合也提供了方便缺點是線路復(fù)雜，造價高。
作為ICP光源，高頻發(fā)生器的主要指標有四項：工作頻率、頻率穩(wěn)定度、輸出功率和功率穩(wěn)定度。
商品ICP儀器多采用較高的頻率（27～50MHz）和較低的功率（1～2.5kW），而Greenfield等提倡采用大功率和較低頻率的發(fā)生器，他們認為這種條件的優(yōu)點是有較高的檢出能力和精密度，而且能消除帶狀光譜的干擾和化學(xué)干擾。
已知趨膚深度S =（1/πσμf）1/2，式中σ是電導(dǎo)率、μ是磁導(dǎo)率、f是高頻電流的頻率，可見頻率的變化直接影響到趨膚深度，亦即影響ICP通道的穩(wěn)定性。因此，要求頻率穩(wěn)定度越高越好。
功率大小直接影響到ICP火焰的溫度，所以要求功率穩(wěn)定度較高，要求長時間工作無功率漂移，一般要求功率穩(wěn)定度最好優(yōu)于0.1%。
此外對高頻防護有一定的要求，勞動部暫定安全標準，要求高頻電場強度應(yīng)小于20V·m-1，高頻磁場強度應(yīng)小于
高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01
LLS 1075/03/25 LICHTBAND
高頻光源發(fā)射器 LIC480/11
線性光源發(fā)射器IMP500.02S
CPC光源 LLS 675/11 Lichtband 24VDC
EVK2.11.3對中控制板
EMG模塊SPCC2-2
EVK2.11.2 信號處理板
EMG 制動器ED 301/6
EVK 2-CP/600.71/L/R 伺服閥IP54
EVK 2.12 EMG測量電路板 糾偏放大板
電路處理板 EVK2.17
EMG 制動器 ED800-60
ED 23/5 電力液壓推動器 EMG
ED 50/6 電力液壓推動器 EMG
ED 30/5 電力液壓推動器 EMG
EMG位移傳感器 LWH 300 SI6C
EMG 光電式測量傳感器 EVK 2-CP/600.71/L/R
LLS1075/01 線性光源發(fā)射器
SV1-10\48\315\6糾偏伺服閥
CPC光源發(fā)生器LLS1075.01,24V 測量范圍:1;規(guī)格:24V
IGS1/40/120/50/01 叉形電感式傳感器
EMG 糾偏系統(tǒng) 高精度電感式CPC:SR-CPC-SMI-HE框架:SMI-HE/500/2100/1500/200
EMG控制器type:iCON SE 02.0 program:7101 帶DP通訊
SMI1.05傳感器
VKI3-10.1傳感器
MCU16.1 處理器
EMG控制器type:iCON XE 02.0 program:6101 帶DP通訊
EMG 高頻光源發(fā)射器 LLS 1275/01 LICHTBAND
分類
1．高頻發(fā)生器的一般構(gòu)造：高頻發(fā)生器為一電能轉(zhuǎn)換器，將市用電轉(zhuǎn)換成高頻電，并有必要的功率輸出和特定的輸出波型。按其構(gòu)造，可分為三種類型：
（1）間隙火花震蕩器：由間隙放電器、電感及電容組成回路，可產(chǎn)生震蕩。用不同的電容和電感，可產(chǎn)生不同的頻率和波型。裝置較簡單，但頻率不穩(wěn)、體積較大，現(xiàn)已少用。
（2）電子管震蕩發(fā)生器：由電子管及電感電容組成回路，產(chǎn)生高頻震蕩。頻率穩(wěn)定，但體積大、頻率低，有一定壽命。
（3）晶體管震蕩發(fā)生器：頻率穩(wěn)定，體積小，重量輕，使用壽命長，效率高，是目前較理想的一種高頻發(fā)生器 [2]。
2．按照激發(fā)形式，高頻發(fā)生器主要有兩類：
（1）“自激"式發(fā)生器（電子管自激振蕩）。它能使振蕩電流的頻率隨等離子體阻抗的變化而變化。自激式振蕩器線路簡單，振蕩、激勵、功率放大都由一個電子管同時完成，易與負載阻抗相匹配，易于點燃等離子體，但頻率穩(wěn)定度稍差。
（2）“它激"式石英穩(wěn)頻發(fā)生器（晶體控制振蕩）。它是利用壓電晶體的振蕩來調(diào)節(jié)電流頻率，從而保持頻率的恒定。這種發(fā)生器的主要優(yōu)點是振蕩頻率恒定，功率穩(wěn)定，轉(zhuǎn)換效率高，抗干擾能力較強。其結(jié)構(gòu)比“自激"式發(fā)生器復(fù)雜，但在ICP商品儀器中的應(yīng)用比自激式振蕩器廣泛。
他激式振蕩器由晶體振蕩、倍頻、激勵、功率放大等部分組成，頻率穩(wěn)定性高，但對輸出阻抗的匹配要求較嚴，一般還配備阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)和穩(wěn)定輸出功率的定向耦合器等。一般要求高頻發(fā)生器具有穩(wěn)定的功率輸出，對測量系統(tǒng)無電學(xué)干擾、功率轉(zhuǎn)換效率高以及頻率盡可能穩(wěn)定等
作用及要求
ICP系統(tǒng)中的高頻發(fā)生器的作用是向感應(yīng)螺管提供高頻電流。在高頻發(fā)生器的螺管中產(chǎn)生的高頻電流為ICP的工作提供了 的振蕩磁場。等離子炬的能量來源于高頻發(fā)生器。當?shù)入x子體引燃后，負載線圈與等離子體組成類同一個變壓器，負載線圈是這個變壓器的初級線圈，而等離子休相當于一匝次級線圈：高頻功率便通過負載線圈耦合到等離子體中去，使等離子體焰炬維持不滅。高頻發(fā)生器的輸出功率主要消耗在負載線圈發(fā)熱、等離子體焰炬（入射功率）和部分地反射回來（反射功率）。
在輸入一定范圍的電源電壓后，高頻發(fā)生器產(chǎn)生2.65MHZ高頻恒電壓送給功率耦合器，由功率耦合器在玻殼的放電空間內(nèi)建立靜電強磁場，對放電空間內(nèi)的大氣進行電離，并生產(chǎn)強紫外光，玻璃泡殼內(nèi)壁的三基色熒光粉受強紫外光激勵發(fā)光。在電源設(shè)計上，由于采用APFC電源控制技術(shù)和采用IC技術(shù)，一方面使得電源的功率因數(shù)高達0.95以上；另一方面使得高頻發(fā)生器始終以高頻恒電壓點燈。所以，輸入的電源電壓在一定范圍內(nèi)波動時，其發(fā)光亮度均不變。
對高頻發(fā)生器的要求主要有：
1.高頻發(fā)牛器的振蕩頻率一般為27.12MHz或40.68MHz，輸出功率一般為1～1.5kW。
2.反射功率越小越好，一般要求小于10W。
3.要求高頻發(fā)生器的輸出功率 的穩(wěn)定性，因為輸送到ICP的功率只要有0.1%的漂移，發(fā)射強度就能產(chǎn)生超過1%的變化。因此，高頻發(fā)生器的功率變化必須小于±0.05%。
4.高頻發(fā)生器應(yīng)有良好的接地裝置，其接地電阻越小越好，一般以不超過4 Ω為宜
環(huán)保在線