產(chǎn)品介紹:
PV-2000系列無接觸硅片厚度TTV電阻率綜合測試系統(tǒng)為太陽能/光伏硅片及其他材料提供快速、多通道的厚度、(總厚度變化)TTV、翹曲及無接觸電阻率測量功能。并提供基于TCP/IP的數(shù)據(jù)傳輸接口及基于Windows的控制軟件,用以進(jìn)行在線及離線數(shù)據(jù)管理功能。
產(chǎn)品特點(diǎn):
■ 使用MTI Instruments*的推/拉電容探針技術(shù)
■ 每套系統(tǒng)提供zui多三個(gè)測量通道
■ 可進(jìn)行zui大、zui小、平均厚度測量和TTV測量
■ 可進(jìn)行翹曲度測量(需要3探頭)
■ 用激光傳感器進(jìn)行線鋸方向和深度監(jiān)視(可選)
■ 集成數(shù)據(jù)采集和電氣控制系統(tǒng)
■ 為工廠測量提供快速以太網(wǎng)通訊接口,速率為每秒5片
■ 可增加的直線厚度掃描數(shù)量
■ 與現(xiàn)有的硅片處理設(shè)備有數(shù)字I/O接口
■ 基于Windows的控制軟件提供離線和在線的數(shù)據(jù)監(jiān)控
■ 提供標(biāo)準(zhǔn)及客戶定制的探頭
■ 提供基于Windows的動(dòng)態(tài)鏈接庫用于與控制電腦集成
■ 無接觸,用渦電流法測量硅片電阻率
技術(shù)參數(shù):
■ 晶圓硅片測試尺寸:50mm- 300mm.
■ 厚度測試范圍:1.7mm,可擴(kuò)展到2.5mm.
■ 厚度測試精度:+/-0.25um
■ 厚度重復(fù)性精度:0.050um
■ 測量點(diǎn)直徑:8mm
■ TTV 測試精度: +/-0.05um
■ TTV重復(fù)性精度: 0.050um
■ 彎曲度測試范圍: +/-500um [+/-850um]
■ 彎曲度測試精度: +/-2.0um
■ 彎曲度重復(fù)性精度: 0.750um
■ 電阻率測量范圍:0.1-50ohm-cm
■ 電阻率測量精度:2%
■ 電阻率測量重復(fù)精度:1%
■ 晶圓硅片類型:單晶或多晶硅
■ 可用在:切片后、磨片前、后,蝕刻,拋光以及出廠、入廠質(zhì)量檢測等
■ 平面/缺口:所有的半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)平面或缺口
■ 連續(xù)5點(diǎn)測量
典型客戶:
美國,歐洲,亞洲及國內(nèi)太陽能及半導(dǎo)體客戶。