使用徠卡 EM RES102，使您的樣品具備的靈活性，具有輕薄、清潔、拋光、切割的坡度和結構。的離子束研磨系統(tǒng)結合了在一個單工作臺面單元上制備TEM、SEM和LM樣品的特點。各種樣品架可以進行多元化應用。除了高能量的離子銑工藝，徠卡EM RES102也可適于采用低離子能量處理非常柔軟的樣本。

詳細介紹

的解決方案

Leica EM RES102是一款的離子束研磨設備，帶有兩個鞍形場離子源，離子束能量可調，以獲得離子研磨結果。這一款獨立的桌面型設備集 TEM，SEM和LM樣品制備功能于一體，這與市面上其它設備截然不同。除了高能量離子研磨功能外，徠卡EM RES102還可用于低能量極溫和的離子束研磨過程。

TEM 樣品：
- 單面或雙面離子束研磨適用于材料的離子束減薄過程。鞍形場離子源可獲得很大的電子束透明薄區(qū)。
- 程序化控制的離子入射角度變化，適用于完成特殊的樣品制備目的，例如FIB樣品清潔，以減少無定形非晶層。
SEM 或 LM 樣品：
- 離子束拋光拋光區(qū)域可達25mm。
- 離子束清潔適用于對樣品表面污染層或機械拋光后表面產生的涂抹層進行清潔。
- 樣品表面襯度增強作用，可替代化學刻蝕作用。
- 35°斜坡切割用于制備多層樣品的截面。
- 90°斜坡切割用于制備復合結構的半導體樣品或組裝器件，這種方式所需的機械預加工工作最少。

為了支持多樣化的應用需求，Leica EM RES102 可以裝配各種樣品臺以適用于TEM，SEM及LM 樣品制備。預抽室系統(tǒng)實現(xiàn)樣品快速交換，從而可有效提高樣品交換效率。

帶給您的好處

Leica EM RES102 可對樣品進行離子束減薄，清潔，截面切割，拋光以及襯度增強，這極大滿足了您對應用需求的多樣化和便利性。

操作簡便
- 19”觸摸屏電腦控制單元，監(jiān)控并記錄制樣過程
- 內置應用參數(shù)庫
- 程序化制樣參數(shù)設定，加速初學者學習曲線
- 幫助文件幫助初學者以及對設備進行維護
高效/節(jié)約成本
- TEM，SEM和LM應用功能集于一體
- TEM樣品制備獲得的薄區(qū)大，有效提高了TEM樣品制備效率
- SEM樣品制備可達25mm樣品直徑
- 預抽室系統(tǒng)幫助快速交換樣品，減少等待時間，并保證了樣品室的持續(xù)高真空
- 局域網(wǎng)功能方便遠程操控
- LN2樣品臺使得溫度敏感型樣品可在優(yōu)化條件下進行離子研磨
安全
- 精確的自動終止功能，適用于光學終止或透明樣品的法拉第杯終止
- 在制樣過程中可以時時存儲活圖像或視頻
- 離子源和樣品運動馬達驅動，程序化控制，因而可獲得重復性制樣結果

主要功能

對無機薄片樣品進行離子減薄，使得薄片樣品可被透射電子穿過，從而適宜TEM透射電子顯微鏡觀察；對無機塊狀樣品進行離子束拋光、離子束刻蝕，樣品表面離子清洗及斜坡切割，便于SEM掃描電子顯微鏡觀察樣品內部結構信息。

優(yōu)異性價比

一臺設備即可為TEM、SEM、LM電鏡檢測提供試樣，多種應用功能集于一體，高效并節(jié)約成本安全；所有機械控制、樣品移動實現(xiàn)全自動化，可獲得重復性制樣結果分段冷卻；對溫度敏感樣品得到充分保護，在優(yōu)化條件下進行離子研磨，保持樣品的原生態(tài)操作簡便；內置應用參數(shù)庫，幫助文件，無論是初學者還是后期維護都十分簡單。

儀器參數(shù)
離子源	離子槍	兩把鞍形場離子槍，離子研磨區(qū)域大
	離子能量	0.8 kev 至 10 kev (0.1keV每步)
	離子束流	4.5 mA （每把離子槍）
	離子束流密度	8kV/3mA條件下約1mA/cm2（每把離子槍）
	離子束半高寬FWHM	10keV 條件下0.8mm，2keV 條件下2.5mm
	使用氣體	氬氣 (Ar 5.0) 進氣氣壓 500 mbar
	氣體流速	每把離子槍小于1 sccm，自動控制
傾斜角度設定（電腦控制）	離子槍1傾斜	± 45°（精確度為0.1°）
	離子槍2傾斜	± 45°（精確度為0.1°）
	樣品臺傾斜范圍	–230° 至 100°（精確度為0.1°）
	離子研磨角度范圍	–90° 至 90° (角度與不同樣品臺有關)
樣品移動范圍（電腦控制）	旋轉速率	0.6 至 10 rpm
	擺動范圍	360°，每步1°
	零位設置	每步1°
	X方向移動	±5mm，精確度0.1mm
	傾斜范圍	-230°至 100°
裝載樣品尺寸	SEM樣品臺樣品尺寸	Ø 25 mm × 12 mm
	SEM樣品臺離子研磨區(qū)域	Ø 25 mm
	TEM和FIB樣品臺樣品尺寸	Ø 3 mm 或 Ø 2.3 mm
	SEM薄片樣品臺樣品尺寸	5 mm (H) × 7 mm (W) × 2 mm (D)
	SEM斜坡切割樣品臺樣品尺寸	5 mm (H) × 5 mm (W) × 3 mm (D)
冷凍裝置（選配）	自動液氮制冷接觸裝置
	自動加熱裝置避免潮濕污染樣品
	LN2 消耗量約0.6L/h
操作控制（用戶界面）	Windows 7操作系統(tǒng)，19英寸觸摸屏電腦控制
	具有局域網(wǎng)遠程控制和監(jiān)視功能
	內置應用程序庫
	可個性化修改和存儲離子研磨參數(shù)，單個程序使用或者組合程序序列
真空系統(tǒng)	無油真空系統(tǒng)，＜1×10-5mbar，配置4段式隔膜泵和渦輪分子泵（70 L/s）
真空系統(tǒng)	配置預抽真空室，樣品交換時間小于1分鐘
真空檢測	全程范圍真空檢測，Pirani真空計檢測低真空，冷陰極檢測高真空
觀察系統(tǒng)	數(shù)字CMOS彩色攝像頭，帶自動放大觀察功能，自動光圈調整和自動聚焦
	可實時存儲圖像和錄像
	離子束感光功能（偽彩色圖像），用于精確調整離子槍對中
自動終止離子束加工過程	通過時間終止
	對于不透明樣品的光學終止
	對于不透明和透明樣品的法拉第杯終止（選配）
電氣參數(shù)	電壓	90至260 VAC, 50/60 Hz
電氣參數(shù)	功率	400 W