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沈經(jīng)理
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小型晶體生長爐介紹
熔體生長又分為：
直拉法
此法是由熔體生長單晶的一項最主要的方法，適用于大尺寸晶體的批量生產(chǎn)。被加熱的坩堝中盛著熔融的料，籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體，由于固液界面附近的熔體維持一定的過冷度、熔體沿籽晶結晶，并隨籽晶的逐漸上升而生長成棒狀單晶。坩堝可以由高頻感應或電阻加熱。半導體鍺、硅、氧化物單晶如釔鋁石榴石、釓鎵石榴石、鈮酸鋰等均用此方法生長而得。應用此方法時控制晶體品質(zhì)的主要因素是固液界面的溫度梯度、生長速率、晶轉速率以及熔體的流體效應等。
區(qū)熔法
小型晶體生長爐介紹
溶液生長又分為：
水溶液法
對于具有負溫度系數(shù)或其溶解度溫度系數(shù)較小的材料，可以使溶液保持恒溫，并且不斷地從育晶器中移去溶劑而使晶體生長，采用這種辦法結晶的叫蒸發(fā)法。
助熔劑法
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