IGBT模塊簡介
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙型晶體管）的縮寫，IGBT是由MOSFET和雙型晶體管復(fù)合而成的種器件，其輸入為MOSFET，輸出為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十k

詳細(xì)介紹

使用中的注意事項(xiàng)

由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵通過層氧化膜與發(fā)射實(shí)現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓般達(dá)到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵擊穿是IGBT失效的常見原因之。因此使用中要注意以下幾點(diǎn)：

1. 在使用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子部分，當(dāng)要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進(jìn)行放電后，再觸摸；

2. 在用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之請先不要接上模塊；

3. 盡量在底板良好接地的情況下操作。

在應(yīng)用中有時雖然保證了柵驅(qū)動電壓沒有超過柵大額定電壓，但柵連線的寄生電感和柵與集電間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵連線中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。此外，在柵—發(fā)射間開路時，若在集電與發(fā)射間加上電壓，則隨著集電電位的變化，由于集電有漏電流流過，柵電位升高，集電則有電流流過。這時，如果集電與發(fā)射間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。在使用IGBT的場合，當(dāng)柵回路不正?；驏呕芈窊p壞時（柵處于開路狀態(tài)），若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為防止此類故障，應(yīng)在柵與發(fā)射之間串接只10KΩ左右的電阻。在安裝或更換IGBT模塊時，應(yīng)十分重視IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了減少接觸熱阻，好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導(dǎo)熱硅脂。般散熱片底部安裝有散熱風(fēng)扇，當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過高時將報或停止IGBT模塊工作。