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SIC碳化硅器件參數測試儀-華科智源

參   考   價: 200

訂  貨  量: ≥1 臺

具體成交價以合同協議為準

產品型號ITC57300

品       牌

廠商性質生產商

所  在  地深圳市

更新時間:2020-10-29 11:00:48瀏覽次數:1279次

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測量范圍 igbt mos bjt 測量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 檢修地鐵 汽車
重量 30kg
SIC碳化硅器件參數測試儀-華科智源
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定可靠,具有保護系統和被測器件的能力。被測器件可通過圖形顯示,系統軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低,在實際測試應用中各項技術指標均可達到器件手冊技術指標及國標要求。

SIC碳化硅器件參數測試儀-華科智源

ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數測試設備,采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構,可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數的測試要求,且具有波形實時顯示分析功能,是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數測試設備。
ITC57300動態(tài)參數測試系統主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試,包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT),功率MOSFET,二極管,雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析,可執(zhí)行電阻和電感的開關時間,開關損耗,柵極電荷,TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。
ITC57300能力

  • 測試電壓:大1200 VDC 200(短路電流可達1000A)
  • 定時測量:為1 ns
  • 漏電流限制監(jiān)視器
  • -  MOSFET開關時間測試, Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試,Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
    -  Qrr range:1nc~100uc,Trr range:10ns~2us
    -  MOSFET柵電荷Qg測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps 
    -  IGBT感性開關時間測試,Max VDD =1.2KV,0.1V Steps,Inductors range:0.1mH~159.9mH
    -  IGBT短路耐量測試,Max ISC=1000A
    測試標準: 
    - MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀選項

  • 額外的電源供應器
  • 額外的測試頭
  • 大包裝適配器

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀測試頭

  • ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET,MIL-STD-750方法3472開關時間
  • ITC57220 - TRR /電源,MOSFET和二極管的Qrr,MIL-STD-750方法,3473
  • ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET,MIL-STD-750方法3471
  • ITC57240 - 電感式開關時間為IGBT,MIL-STD 750方法3477
  • ITC57250 - (ISC)短路耐受時間,MIL-STD-750方法3479

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀系統特點

  • 很容易改變的測試頭
  • 在不同參數的自動化測試
  • 堅固耐用的PC兼容計算機
  • 用戶友好的菜單驅動軟件
  • 可編程測試出紙槽
  • 電子表格兼容的測試數據
  • 可選內部電感負載
  • GPIB可編程測試設備
  • 四通道高帶寬數字示波器
  • 脈沖發(fā)生器
  • 1200V電源

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀安全特性

  • 測試頭高電壓互鎖
  • 接收端的高電壓互鎖
  • 高速漏極供電開關

 

 

 ITC57210 開關時間測試頭

此測試頭以美軍標 MIL-STD-750, Method 3472,驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關時間。所測量的參數包括 :Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

SIC碳化硅器件參數測試儀-華科智源

首先,驅動電路中的電感電流上升,電流升到所設定的值時,電源會被切開。電感內的的電流會通過被測器件中的二極管排放。經過一段短時間后,驅動器再次啟動,致使器件中的二極管經歷反向恢復動作。由此所捕捉到的波形經過分析后便能取得反向恢復時間,電流和累積電荷等數據。

ITC57230 柵電荷測試頭

ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。 

先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時,把一個恒電流,高阻抗的負載接到MOSFTE管的漏極。

當漏極電流攀爬到用戶設定的數值時,被測器件的柵電荷可通過向漏極導通可編程恒流源放電(或P溝道器件,向源極導通)。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。

 

ITC57240 感性負載開關時間測試頭

ITC57240測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3477的定義,實行感性負載開關時間測試。

IGBT驅動器會在電感圈內產生測試電流。當斷開時,電流會通過寄生(齊納)二極管。在這瞬間,打開和關閉DUT器件開始對開關時間和開關能量進行測試。當它開關時,DUT器件能觀察到流入電感圈里的測試電流和橫跨齊納二極管的電壓,而不受續(xù)流二極管所產生的任何反向恢復因素所影響。

ITC57250 短路耐量測試頭

ITC57250以美軍標MIL-STD-750, Method 3479的定義,實行短路耐抗時間測試。

在某些電路,如馬達驅動電路,半導體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間。器件內的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅動脈寬。

 

ITC57260 結電容/柵極等效電阻測試頭 Rg, Ciss, Coss & Crss

此測試頭應用頻率掃描和固定電感圈,找出所形成的RLC電路的共振點然后進行對功率器件MOSFET的柵極電阻測量。它同時也測量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).

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