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測量范圍 | igbt mos bjt | 測量精度 | Vcesat Vgeth lces lges |
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外形尺寸 | 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm | 用途 | 檢修地鐵 汽車 |
重量 | 30kg |
SIC碳化硅器件參數測試儀-華科智源
ITC57300是美國ITC公司設計生產的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數測試設備,采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構,可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數的測試要求,且具有波形實時顯示分析功能,是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數測試設備。
ITC57300動態(tài)參數測試系統主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試,包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管(IGBT),功率MOSFET,二極管,雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設備和必要的軟件分析,可執(zhí)行電阻和電感的開關時間,開關損耗,柵極電荷,TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。
ITC57300能力
ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀選項
ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀測試頭
ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀系統特點
ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數測試儀安全特性
ITC57210 開關時間測試頭
此測試頭以美軍標 MIL-STD-750, Method 3472,驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關時間。所測量的參數包括 :Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)
SIC碳化硅器件參數測試儀-華科智源
首先,驅動電路中的電感電流上升,電流升到所設定的值時,電源會被切開。電感內的的電流會通過被測器件中的二極管排放。經過一段短時間后,驅動器再次啟動,致使器件中的二極管經歷反向恢復動作。由此所捕捉到的波形經過分析后便能取得反向恢復時間,電流和累積電荷等數據。
ITC57230 柵電荷測試頭
ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。
先給MOSFET管的柵極加電壓,在柵極打開時,把一個恒電流,高阻抗的負載接到MOSFTE管的漏極。
當漏極電流攀爬到用戶設定的數值時,被測器件的柵電荷可通過向漏極導通可編程恒流源放電(或P溝道器件,向源極導通)。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。
ITC57240 感性負載開關時間測試頭
ITC57240測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3477的定義,實行感性負載開關時間測試。
IGBT驅動器會在電感圈內產生測試電流。當斷開時,電流會通過寄生(齊納)二極管。在這瞬間,打開和關閉DUT器件開始對開關時間和開關能量進行測試。當它開關時,DUT器件能觀察到流入電感圈里的測試電流和橫跨齊納二極管的電壓,而不受續(xù)流二極管所產生的任何反向恢復因素所影響。
ITC57250 短路耐量測試頭
ITC57250以美軍標MIL-STD-750, Method 3479的定義,實行短路耐抗時間測試。
在某些電路,如馬達驅動電路,半導體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間。器件內的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅動脈寬。
ITC57260 結電容/柵極等效電阻測試頭 Rg, Ciss, Coss & Crss
此測試頭應用頻率掃描和固定電感圈,找出所形成的RLC電路的共振點然后進行對功率器件MOSFET的柵極電阻測量。它同時也測量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).
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