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雪崩能量測試儀

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

更新時間:2019-01-11 09:25:40瀏覽次數(shù):1121次

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測量范圍 IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家 測量精度 IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家
產(chǎn)地 國產(chǎn) 供貨周期 30天
外形尺寸 IGBT模塊測試儀-華科智源 IGBT檢測儀廠家mm 用途 軌道交通,風(fēng)力發(fā)電,電動汽車
重量 30kg
雪崩能量測試儀系統(tǒng)主要用于 IGBT、FRD、MOS器件單脈沖及重復(fù)脈沖雪崩能量測試。測試電流 200A,電壓 4500V,雪崩能量可達2000J。

半導(dǎo)體分立器件作為在電力電子行業(yè)中應(yīng)用為廣泛的基礎(chǔ)元件,其性能表現(xiàn)對整個電子電路系統(tǒng)來講十分重要。選擇合適的分立器件就需要該器件能夠承受電路中的電流,滿足一定的雪崩耐量。

雪崩能量測試儀測試的電壓和電流波形同時被采集到示波器,并由示波器與工控機直接通訊,將采集數(shù)據(jù)傳輸給計算機,計算機將測試數(shù)據(jù)以EXCEL表格形式顯示并進行終的編輯和打印。

 

HUSTEC2020 雪崩能量測試儀

功能指標(biāo):

配置

測試范圍

測試參數(shù)

條件

范圍

電壓
1000V 

IGBTs
絕緣柵雙極型晶體管 

EAS/單脈沖雪崩能量

VCE

20V~4500V

20~100V±3%±1V
100~1000V±3%±5V 
1000V~4500V±3%±10V

電流
200A

MOSFETs
MOS場效應(yīng)管

EAR/重復(fù)脈沖雪崩能量 

Ic

1mA~200A

1mA~100mA±3%±0.1mA
100mA~2A±3%±5mA 
2A~200A±3%±50mA

 

DIODEs
二極管

IAS/單脈沖雪崩電流

Ea

1J~2000J

1J~100J±3%±1J
100J~500J±3%±5J 
500J~2000J±3%±10J

   

PAS/單脈沖雪崩功率

IC檢測

50mV/A(取決于傳感器)

     

感性負載

10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 

     

重復(fù)間隙時間 

1~60s可調(diào)(步進1s) 重復(fù)次數(shù):1~50次

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