EM01-RD多入射角激光橢偏儀(研發(fā))已升至EMPro31 型多入射角激光橢偏儀,主要升內(nèi)容包括:
單次測量速度提高3倍;
新的儀器外形;
整體穩(wěn)定性增強.
納米薄膜研發(fā)領(lǐng)域的多入射角激光橢偏儀,用于納米薄膜的厚度、折射率n、消光系數(shù)k等參數(shù)的測量。適用于光面或絨面納米薄膜測量、塊狀固體參數(shù)測量、快速變化的納米薄膜實時測量等不同的應(yīng)用場合。采用量拓科技多項技術(shù),儀器操作具有個性化定制功能,方便使用。
特點:
高精度、高穩(wěn)定性
一體化集成設(shè)計
快速、高精度樣品方位對準
多入射角度測量
快速反應(yīng)過程的實時測量
操作簡單
豐富的材料庫及物理模型
強大的數(shù)據(jù)分析和管理
應(yīng)用領(lǐng)域:
可對納米薄膜層構(gòu)樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k進行快速、高精度、高準確度的測量,尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)
可用于表征單層納米薄膜、多層納米層構(gòu)膜系,以及塊狀材料(基底)。
應(yīng)用領(lǐng)域涉及納米薄膜的幾乎領(lǐng)域,如微電子、半導體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學薄膜、生命科學、電化學、磁介質(zhì)存儲、聚合物及金屬表面處理等。
性能保證:
高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、高精度的采樣方法以及低噪聲探測技術(shù),保證了系統(tǒng)的高穩(wěn)定性和高準確度
.高精度的光學自準直望遠系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)設(shè)計、可靠的樣品方位對準,結(jié)合采樣技術(shù),保證了快速、穩(wěn)定測量
分立式的多入射角選擇,可應(yīng)用于復(fù)雜樣品的折射率和相對厚度的測量
一體化集成式的儀器結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
軟件方便納米薄膜樣品的測試和建模。
技術(shù)指標:
激光波長 | 632.8nm (He-Ne laser) |
膜厚測量重復(fù)性 | 0.01nm (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
折射率精度 | 1x10-4 (對于Si基底上110nm的SiO2膜層) |
光學結(jié)構(gòu) | PSCA |
激光光束直徑 | <1mm |
入射角度 | 40°-90°可選,步進5° |
樣品方位調(diào)整 | 三維平移調(diào)節(jié) 二維俯仰調(diào)節(jié) 光學自準直系統(tǒng)對準 |
樣品臺尺寸 | Φ170mm |
單次測量時間 | 0.2s |
推薦測量范圍 | 0-6000nm |
大外形尺寸(長x寬x高) | 887 x 332 x 552mm (入射角為70º時) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
VP01真空吸附泵
VP02真空吸附泵
樣品池