ES01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。
ES01系列光譜橢偏儀適合于對樣品進行實時和非實時檢測。
特點：
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原子層量的檢測靈敏度
采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的設(shè)計和制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量的納米薄膜，膜厚精度達到0.05nm。
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秒的快速測量
快速橢偏采樣方法、高信噪比的信號探測、自動化的測量軟件，在保證高精度和準確度的同時，10秒內(nèi)快速完成一次全光譜橢偏測量。
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一鍵式儀器操作
對于常規(guī)操作，只需鼠標點擊一個按鈕即可完成復(fù)雜的測量、建模、擬合和分析過程，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的高操作需求。
應(yīng)用：
ES01系列尤其適合于科研和工業(yè)產(chǎn)品環(huán)境中的新品研發(fā)。
ES01系列多種光譜范圍可滿足不同應(yīng)用場合。比如：
- ES01V適合于測量電介質(zhì)材料、無定形半導(dǎo)體、聚合物等的實時和非實時檢測。
- ES01U適合于很大范圍的材料種類，包括對介質(zhì)材料、聚合物、半導(dǎo)體、金屬等的實時和非實時檢測，光譜范圍覆蓋半導(dǎo)體的臨界點，這對于測量和控制合成的半導(dǎo)體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍（從次納米量到10微米左右）。
ES01系列可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：微電子、半導(dǎo)體、集成電路、顯示技術(shù)、太陽電池、光學(xué)薄膜、生命科學(xué)、化學(xué)、電化學(xué)、磁介質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。典型應(yīng)用如：
- 半導(dǎo)體：如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）；
- 平板顯示：TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等；
- 功能性涂料：增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等；
- 生物和化學(xué)工程：有機薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等。
ES01系列也可用于測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k。應(yīng)用領(lǐng)域包括：固體（金屬、半導(dǎo)體、介質(zhì)等），或液體（純凈物或混合物）。典型應(yīng)用包括：
- 玻璃新品研發(fā)和質(zhì)量控制等。
技術(shù)指標：
| 項目 | 技術(shù)指標 |
| 光譜范圍 | ES01V：370-1000nm ES01U：245-1000nm |
| 光譜分辨率 | 1.5nm |
| 單次測量時間 | 典型10s,取決于測量模式 |
| 準確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° （透射模式測空氣時） |
| 膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 折射率精度（1） | 1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
| 入射角度 | 40°-90°自動調(diào)節(jié)，重復(fù)性0.02° |
| 光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準確度） |
| 樣品臺尺寸 | 可放置樣品尺寸：直徑170 mm |
| 樣品方位調(diào)整 | 高度調(diào)節(jié)范圍：0-10mm |
| 二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
| 樣品對準 | 光學(xué)自準直顯微和望遠對準系統(tǒng) |
| 軟件 | •多語言界面切換 |
| •預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用 | |
| •安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員） | |
| •方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
| •豐富的模型數(shù)據(jù)庫 | |
| 選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |
注：(1)測量重復(fù)性：是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標準差。
可選配件：
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NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
- NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
- VP01真空吸附泵
- VP02真空吸附泵
- 樣品池
