詳細(xì)描述
本產(chǎn)品采用口徑φ200mm考夫曼型離子源,通過(guò)結(jié)構(gòu)的雙鉬柵離子光學(xué)系統(tǒng)及SHAG技術(shù)保證在φ150mm范圍內(nèi)束流的均勻性為±5%,電子中和系統(tǒng)可使樣片上的電荷積累為零。
本設(shè)備的刻蝕工作臺(tái)可繞工作中心自轉(zhuǎn),離子束入射角可在0~90°之間任意調(diào)整。
本設(shè)備具有刻蝕速率穩(wěn)定、均勻性好、重復(fù)性好等特點(diǎn),可廣泛應(yīng)用于微電子、光電子、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
自動(dòng)控制系統(tǒng)采用工控計(jì)算機(jī)及PLC控制、觸摸顯示屏操作,實(shí)現(xiàn)真空系統(tǒng)及工藝過(guò)程自動(dòng)化。本機(jī)可選擇全自動(dòng)及非全自動(dòng)模式。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號(hào) | IBE-200Z |
真空系統(tǒng) | 分子泵機(jī)組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單刻蝕室 |
刻蝕室規(guī)格 | 435×406×490mm |
工作臺(tái)尺寸 | ?200mm(片徑≤6英寸) |
離子束入射角 | 0~90°之間任意調(diào)整 |
刻蝕速率 | 100?~2000?/min(與刻蝕材料和工藝有關(guān)) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
Ar+離子能量范圍 | 100~1000eV,連續(xù)可調(diào) |
離子束流密度 | 0~1mA/cm2,連續(xù)可調(diào) |
有效離子束直徑 | ≥?100mm(屏柵極直徑?150mm) |
電子中和 | 帶有熱絲結(jié)構(gòu)的電子中和裝置 |