詳細(xì)描述
本產(chǎn)品通過物理與化學(xué)相結(jié)合的方法,對(duì)很細(xì)的線條(亞微米以下)進(jìn)行刻蝕以形成精細(xì)的圖形。
本設(shè)備具有選擇比較好、刻蝕速度較快、重復(fù)性好、性價(jià)比較高等特點(diǎn)。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本產(chǎn)品通過對(duì)真空系統(tǒng)、工作壓強(qiáng)、射頻電源匹配、氣體流量及工藝過程的全自動(dòng)控制,使工藝的重復(fù)性、穩(wěn)定性、可靠性得到有效保證,從而獲得較高的刻蝕速率,并能精確地控制圖形的剖面。
本設(shè)備的數(shù)字化參數(shù)界面和自動(dòng)化操作方式為用戶提供了優(yōu)良的研發(fā)和生產(chǎn)平臺(tái)。
本產(chǎn)品通過軟、硬件相互配合的互鎖、智能監(jiān)控、在線狀態(tài)記憶、斷點(diǎn)保護(hù)等設(shè)計(jì),結(jié)合各種硬保護(hù)裝置、使設(shè)備的安全性、可靠性得到有效保證。
本產(chǎn)品主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)械等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號(hào) | RIE-501 |
真空系統(tǒng) | 分子泵機(jī)組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單室 |
刻蝕室規(guī)格 | ?300×100mm |
電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蝕速率 | 0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān)) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
自動(dòng)化程度 | 真空系統(tǒng)、下游壓力閉環(huán)控制、射頻電源、氣體流量、工藝過程全自動(dòng)控制。 |
人機(jī)界面 | Windows環(huán)境、觸摸屏操作 |
操作方式 | 全自動(dòng)方式、非全自動(dòng)方式 |
自動(dòng)化裝置的選配 | 可選擇進(jìn)口件或國(guó)產(chǎn)件 |