我公司產品在安全相關領域的廣泛應用，就要求我們在質量上要做到Z佳化。 無論是在員工們的頭腦里，還是在實際工作中，質量都是至關重要的。 質量在E+H公司屬于日常必需。使經濟發(fā)展與環(huán)境保護相統(tǒng)一是每個企業(yè)的責任。開展環(huán)保、可持續(xù)發(fā)展業(yè)務是E+H的一項指導性原則。積極地保護環(huán)境、負責地使用資源并生產環(huán)保產品和應用策略是此任務的所有重要組成部分。

E+H塑料衛(wèi)生型數(shù)字電極可以分為CPS471模擬式電極或 CPS471D數(shù)字式電極，ISFET 電極，可蒸汽消毒和高溫滅菌，用于pH 測量。它主要應用于衛(wèi)生型和無菌應用場合；食品行業(yè)和制藥行業(yè)；生物技術。通過ATEX、FM 和CSA 認證，適用于危險應用場合。

E+H塑料衛(wèi)生型數(shù)字電極CPS471（D）的優(yōu)勢如下：
• 抗破裂：電極本體采用PEEK 材料；直接安裝在過程中，操作簡便，降低了使用成本，適用于采樣和實驗室分析
• 生物兼容性認證
• 雙腔室參比系統(tǒng)：抗毒性；無聚丙烯酰胺凝膠
• 滿足低溫應用要求：響應時間短；始終具有高測量精度
• 可蒸汽消毒和高溫滅菌
• 相比于玻璃電極，具有較長的標定間隔時間——交替變化的溫度條件下，具有較短的遲滯時間；經過高溫條件后，測量誤差依舊很小；幾乎無酸堿誤差
• 內置溫度傳感器用于有效溫度補償
• 與自動可伸縮式安裝支架配套使用，是CIP 過程的理想選擇

E+H塑料衛(wèi)生型數(shù)字電極的測量原理：離子選擇性，或更常見的離子敏感場效應晶體管(ISFET) 于70 年代設計開發(fā)，作為pH 測量當中除玻璃電極之外的一種有效補充。
基本原理：離子選擇性場效應晶體管采用MOS 1)晶體管結構，其中金屬柵極 ( 部件1) 不是控制電極。相反， ISFET 中的介質(部件3) 直接接觸柵極隔離層( 部件2)。兩個強N 型導電區(qū)擴散至半導體材料(Si) 的P 型導電基板(部件5)。N 型導電區(qū)為電流供給電極(“ 源極”，S) 和電流接收電極(“ 漏極”， D)。金屬柵極電極(MOSFET) 和介質(ISFET) 形成以下帶基板的電容器。柵極和基板(UGS) 間的電勢差導致“源極”和“漏極”間出現(xiàn)較高電子密度。形成N型導電溝道( 部件2)，即產生漏電電流(ID)。

圖1: MOSFET 管原理示意圖                       圖2: ISFET 原理示意圖

1 金屬柵極                                    1 參比電極    2 N型導電溝道  4 介質 
2 N型導電溝道                                 3 柵極隔離層  5 P型硅基板    6 電極桿

使用ISFET 時，介質直接接觸柵極隔離層。因此，介質中出現(xiàn)氫離子(H+)，位于介質/ 柵極隔離層
的邊緣層，產生電場( 柵極電位)。取決于上述效應，形成N 型導電溝道，且“ 源極” 和“ 漏極”
之間形成電流。合適的電極回路基于離子選擇性柵極電位關系生成輸出信號，與離子類型濃度呈
比例。

pH 選擇性IsFET——柵極隔離層用作氫離子(H+) 的離子選擇性層。柵極隔離層不能滲透離子( 隔離效應)，但允許氫離子(H+) 的可逆表面反應。
取決于測量溶液的酸或堿特性，隔離層表面的功能組接收或拒絕氫離子(H+) ( 功能組字符)，導致
隔離層表面的正放電 ( 酸性介質接收氫離子(H+)) 或負放電( 堿性介質拒絕氫離子(H+))。取決于pH
值，可以使用表面電荷控制“ 源極” 和“ 漏極” 之間的溝道場效應。

Topcal 全自動測量、清洗和標定系統(tǒng)的優(yōu)點：
• CIP 清洗
安裝在可伸縮式安裝支架中的電極在清洗前可以自動從介質中移出。在可伸縮式安裝支架的沖洗腔室中使用合適的清潔劑清洗電極。
• 單獨設置標定周期。
• 全自動清洗和標定功能使得維護成本降低。
• 自動標定可以優(yōu)化重現(xiàn)測量結果，并使得每個參數(shù)的偏差極小。

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