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行業(yè)產(chǎn)品

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陜西天士立科技有限公司


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可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

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參   考   價(jià): 259000

訂  貨  量: ≥1 套

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號STD2000

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地西安市

聯(lián)系方式:王先生查看聯(lián)系方式

更新時(shí)間:2024-09-29 13:58:37瀏覽次數(shù):167次

聯(lián)系我時(shí),請告知來自 環(huán)保在線

經(jīng)營模式:生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品:40條

所在地區(qū):陜西西安市

聯(lián)系人:王先生 (總工)

產(chǎn)品簡介
測量范圍 0~2000V,0~200Amm 規(guī)格 30KG
精度 1nA,1mV 適用范圍 Diode,BJT,MOSFET,IGBT,SCR

陜西天士立科技有限公司/STD2000/可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf等

詳細(xì)介紹

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)


陜西天士立科技有限公司/STD2000/可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)

可以測試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on))以及IV特性曲線等

高壓源標(biāo)配1400V(選配2KV),高流源標(biāo)配100A(選配40A,200A,500A)柵極電壓40V,柵極電流100mA分辨率至1.5uV / 1.5pA,精度可至0.1%



陜西天士立科技有限公司

研發(fā)生產(chǎn) 半導(dǎo)體檢測·電學(xué)檢測·可靠性檢測·老化實(shí)驗(yàn)  各類儀器設(shè)備

一:規(guī)格&環(huán)境

1.1、產(chǎn)品信息

產(chǎn)品型號:STD2000

產(chǎn)品名稱:可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀

1.2、物理規(guī)格

主機(jī)尺寸:深660*430*210(mm)

主機(jī)重量:<35kg

1.3、電氣環(huán)境

主機(jī)功耗:<300W

海拔高度:海拔不超過 4000m;

環(huán)境要求:-20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作);

相對濕度: 20%RH75%RH (無凝露,濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下);

大氣壓力:86Kpa106Kpa

防護(hù)條件:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導(dǎo)電粉塵等;

電網(wǎng)要求:AC220V、±10%、50Hz±1Hz;

工作時(shí)間:連續(xù);

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可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)


第二部分:應(yīng)用場景和產(chǎn)品特點(diǎn)

一、應(yīng)用場景

1、測試分析(功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測試,主要功能為曲線追蹤儀

2、失效分析(對失效器件進(jìn)行測試分析,查找失效機(jī)理。以便于對電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過程提出改善方案)

3、選型配對(在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測試,將測試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類配對)

4、來料檢驗(yàn)(研究所及電子廠的質(zhì)量部(IQC)對入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢,把控器件的良品率)

5、量產(chǎn)測試(可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類輔助機(jī)械設(shè)備,實(shí)現(xiàn)規(guī)?;?、自動化測試)

6、替代進(jìn)口STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀可替代同級別進(jìn)口產(chǎn)品)

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)


二、產(chǎn)品特點(diǎn)

1、程控高壓源10~1400V,提供2000V選配;

2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A,500A選配;

3、驅(qū)動電壓10mV~40V

4、控制極電流10uA~100mA;

5、16ADC,1M/S采樣速率;

6、自動識別器件極性 NPN/PNP

7、曲線追蹤儀,四線開爾文連接保證加載測量的準(zhǔn)確

8通過 RS232 接口連接校準(zhǔn)數(shù)字表,對系統(tǒng)進(jìn)行校驗(yàn)

9、不同的封裝形式提供對應(yīng)的夾具和適配器(如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等)

10、可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀能測很多電子元器件如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等);

11、可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀能實(shí)現(xiàn)曲線追蹤儀(如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、導(dǎo)通內(nèi)阻Rds(on)

12結(jié)電容參數(shù)也可以測試,諸如Cka,Ciss,Crss,Coss;

13、脈沖電流自動加熱功能,方便高溫測試,無需外掛升溫裝置;

14、Prober 接口、Handler 接口可選(16Bin,連接分選機(jī)效率1h/9000個(gè);

15、可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀在各大電子廠的IQC、實(shí)驗(yàn)室有著廣泛的應(yīng)用;

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第三部分:產(chǎn)品介紹

3.1、產(chǎn)品介紹

STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀是由我公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)結(jié)合可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀的多年經(jīng)驗(yàn),以及眾多國內(nèi)外測試系統(tǒng)產(chǎn)品的熟悉了解后,自主開發(fā)設(shè)計(jì)的全新一代可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀"。軟件及硬件均由團(tuán)隊(duì)自主完成。這就決定了這款產(chǎn)品的功能性和可靠性能夠得到持續(xù)完善和不斷的提升。

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀脈沖信號源輸出方面,高壓源標(biāo)配1400V(選配2KV),高流源標(biāo)配100A(選配40A,200A,500A)柵極電壓40V,柵極電流100mA,分辨率至1uV / 1.5pA,精度可至0.1%。程控軟件基于Lab VIEW平臺編寫,填充式菜單界面。采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座,自動補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證測試結(jié)果準(zhǔn)確可靠。產(chǎn)品可測試 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 7大類26分類的電子元器件。涵蓋電子產(chǎn)品中幾乎所有的常見器件。無論電壓電流源還是功能配置都有著擴(kuò)展性。

產(chǎn)品為桌面放置的臺式機(jī)結(jié)構(gòu),由測試主機(jī)和程控電腦兩大部分組成。外掛各類夾具和適配器,還能夠通過Prober 接口、Handler 接口可選(16Bin)連接分選機(jī)和機(jī)械手建立工作站,實(shí)現(xiàn)快速批量化測試。通過軟件設(shè)置可依照被測器件的參數(shù)等級進(jìn)行自動分類存放。能夠應(yīng)對“來料檢驗(yàn)"“失效分析"“選型配對"“量產(chǎn)測試"等不同場景。

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀產(chǎn)品的可靠性和測試數(shù)據(jù)的重復(fù)性以及測試效率都有著非常優(yōu)秀的表現(xiàn)。創(chuàng)新的“點(diǎn)控式夾具"讓操作人員在夾具上實(shí)現(xiàn)一點(diǎn)即測。操作更簡單效率更高。測試數(shù)據(jù)可保存為EXCEL文本,方便快捷的完成曲線追蹤儀。

3.2、人機(jī)界面(STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀)

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)


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第四部分:功能配置

4.1、配置選項(xiàng)

STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀的功能配置如下

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)


4.2、適配器選型

STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀的適配器有如下

可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)


4.3、測試種類及參數(shù)

STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀的測試種類和參數(shù)如下

(1)二極管類:二極管  Diode

Kelvin,Vrrm,IrrmVf,△Vf,△Vrrm,Cka,Tr(選配);

(2)二極管類:穩(wěn)壓二極管  ZDZener Diode

Kelvin,Vzlr,Vf,△Vf,△Vz,Roz,lzm,Cka;

(3)二極管類:穩(wěn)壓二極管  ZDZener Diode

Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Rozlzm、Cka;

(4)二極管類:三端肖特基二極管SBDSchottkyBarrierDiode

Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr(選配);

(5)二極管類:瞬態(tài)二極管  TVS

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ;

(6)二極管類:整流橋堆

Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm Cka;

(7)二極管類:三相整流橋堆

Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka;

(8)三極管類:三極管

Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo Cces、Heater、Tr (選配)、Ts(選配)、Value_process;

(9) 三極管類:雙向可控硅

Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、VrrmVdrm rrm、Irrm、 IdrmIrrm_drm、IhIL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm;

(10)三極管類:單向可控硅

Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin testlgtVgtVtm、 Vdrm VrrmIH、IL、△VdrmVrrmVtm;

(11)三極管類:MOSFET

Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss Rds(on) 、Bvds_rz、△BvdsGfs、Igss、ldss 、Idss zero Vds(on)、 VsdCiss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim Heater、Value_proces、△Rds(on) ;

(12)三極管類:雙MOSFET

KelvinPin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss;

(13)三極管類:JFET

Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfslgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss;

(14)三極管類:IGBT

Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lgeslcesVfCiss、CossCrss;

(15)三極管類:三端開關(guān)功率驅(qū)動器

Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt;

(16)三極管類:七端半橋驅(qū)動器

Kelvin、lvs(off)、lvs(on)Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt;

(17)三極管類:高邊功率開關(guān)

Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt

(18)保護(hù)類:壓敏電阻

Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ;

(19)保護(hù)類:單組電壓保護(hù)器

Kelvin Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

(20)保護(hù)類:雙組電壓保護(hù)器

Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr;

(21)穩(wěn)壓集成類:三端穩(wěn)壓器

Kelvin Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _SwIc_fx_chk;

(22)穩(wěn)壓集成類:基準(zhǔn)ICTL431

Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka;

(23)穩(wěn)壓集成類:四端穩(wěn)壓

Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_LineReg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk;

(24)穩(wěn)壓集成類:開關(guān)穩(wěn)壓集成器

選配;

(25)繼電器類:4腳單刀單組、5腳單刀雙組、8腳雙組雙刀、8腳雙組四刀、固態(tài)繼電器

Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton(選配)、Toff(選配);

(26)光耦類:4腳光耦、6腳光耦、8腳光耦、16腳光耦

Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf;

(27)傳感監(jiān)測類:

電流傳感器(ACS712XX系列、CSNR_15XX系列)(選配);

霍爾器件(MT44XX系列、A12XX系列)(選配);

電壓監(jiān)控器(選配);

電壓復(fù)位IC(選配);

曲線追蹤儀

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第五部分:性能指標(biāo)

STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀的性能指標(biāo)如下

5.1、電流/電壓源VIS自帶VI測量單元

1加壓(FV)

量程±40V分辨率625uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

量程±20V分辨率320uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

量程±10V分辨率160uV精度±0.1% 設(shè)定值±3mV

量程±5V分辨率80uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV

量程±2V分辨率32uV精度±0.1% 設(shè)定值±2mV

2加流(FI)

量程±40A 分辨率625uA精度±0.5% 設(shè)定值±30mA

量程±4A 分辨率62.5uA精度±0.2% 設(shè)定值±2mA

量程±400mA分辨率6.25uA精度±0.1% 設(shè)定值±500uA

量程±40mA分辨率625nA精度±0.1% 設(shè)定值±50uA

量程±4mA分辨率62.5nA精度±0.1% 設(shè)定值±5uA

量程±400uA分辨率6.25nA精度±0.1% 設(shè)定值±500nA

量程±40uA分辨率625pA精度±0.1% 設(shè)定值±50nA

量程±4uA分辨率62.5pA精度±0.1% 設(shè)定值±5nA

說明:電流大于1.5A自動轉(zhuǎn)為脈沖方式輸出,脈寬范圍:300us-1000us可調(diào)

3電流測量(MI)

量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 讀數(shù)值±20mA

量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 讀數(shù)值±2mA

量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 讀數(shù)值±200uA

量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 讀數(shù)值±20uA

量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 讀數(shù)值±2uA

量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 讀數(shù)值±200nA

量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 讀數(shù)值±20nA

4電壓測量(MV)

量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 讀數(shù)值±20mV

量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±2mV

量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±200uV

量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 讀數(shù)值±20uV

5.2、數(shù)據(jù)采集部分VM

16ADC,1M/S采樣速率

1電壓測量(MV)

量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%讀數(shù)值±200mV

量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%讀數(shù)值±20mV

量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%讀數(shù)值±10mV

量程±10V分辨率153uV精度±0.1%讀數(shù)值±5mV

量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%讀數(shù)值±2mV

量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%讀數(shù)值±2mV

2漏電流測量(MI)

量程±100mA分辨率1.53uA精度±0.2%讀數(shù)值±100uA

量程±10mA分辨率153nA精度±0.1%讀數(shù)值±3uA

量程±1mA分辨率15.3nA精度±0.1%讀數(shù)值±300nA

量程±100uA分辨率1.53nA精度±0.1%讀數(shù)值±100nA

量程±10uA分辨率153pA精度±0.1%讀數(shù)值±20nA

量程±1uA 分辨率15.3pA精度±0.5%讀數(shù)值±5nA

量程±100nA分辨率1.53pA精度±0.5%讀數(shù)值±0.5nA

3電容容量測量(MC)

量程6nF分辨率10PF精度±5%讀數(shù)值±50PF

量程60nF分辨率100PF精度±5%讀數(shù)值±100PF

5.3、高壓源HVS(基本)12DAC

1加壓(FV)

量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%設(shè)定值±500mV

量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%設(shè)定值±50mV

量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%設(shè)定值±5mV

2加流(FI)

量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%設(shè)定值±10uA

量程2mA分辨率381nA精度±0.5%設(shè)定值±2uA

量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%設(shè)定值±200nA

量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%設(shè)定值±20nA

量程2uA分辨率381pA精度±0.5%設(shè)定值±20nA

STD2000可控硅靜態(tài)參數(shù)測試儀能測很多電子元器件如二極管、三極管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、繼電器等等產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用在院所高校、封測廠、電子廠.....




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