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更新時(shí)間:2022-12-06 15:45:47瀏覽次數(shù):234次
聯(lián)系我時(shí),請告知來自 環(huán)保在線本產(chǎn)品通過物理與化學(xué)相結(jié)合的方法,對(duì)很細(xì)的線條(亞微米以下)進(jìn)行刻蝕以形成精細(xì)的圖形
本產(chǎn)品通過物理與化學(xué)相結(jié)合的方法,對(duì)很細(xì)的線條(亞微米以下)進(jìn)行刻蝕以形成精細(xì)的圖形。
詳細(xì)描述
本設(shè)備具有選擇比較好、刻蝕速度較快、重復(fù)性好、性價(jià)比較高等特點(diǎn)。可刻蝕的材料主要有Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。
本設(shè)備主要用于微電子、光電子、通訊、微機(jī)械等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
產(chǎn)品主要性能指標(biāo)
型號(hào) | RIE-3 |
真空系統(tǒng) | 分子泵機(jī)組 |
刻蝕室數(shù)量 | 單室 |
刻蝕室規(guī)格 | ?300×100mm |
電極尺寸 | ?200mm |
刻蝕材料 | Poly-Si、Si、SiO2、Si3N4、W、Mo、GaN、GaAs等。 |
刻蝕速率 | 0.1 – 1 μ/min (與刻蝕材料和工藝有關(guān)) |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
操作方式 | 手動(dòng) |
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