本公司5月10日13點(diǎn)49分報(bào)道:ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)的產(chǎn)品研發(fā)#技術(shù)新聞
(/c96719/products/d.html)
產(chǎn)品描述
ITC57300動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)接受測(cè)試頭,這些測(cè)試頭可在諸如絕緣柵雙晶體管(IGBT),功率MOSFET,二管和其他雙器件之類(lèi)的半導(dǎo)體器件上執(zhí)行無(wú)損瞬態(tài)測(cè)量(需要其他可選的偏置電源和定制個(gè)性化板)。大型機(jī)中包括分析和執(zhí)行電阻和電感開(kāi)關(guān)時(shí)間,開(kāi)關(guān)損耗,柵電荷,Trr / Qrr和其他瞬態(tài)測(cè)試所需的所有測(cè)試設(shè)備和軟件。
為特定類(lèi)型的瞬態(tài)測(cè)試設(shè)計(jì)的測(cè)試頭與主機(jī)上的特殊測(cè)試頭接收器配對(duì)。盡管測(cè)試頭只能執(zhí)行一項(xiàng)特定的測(cè)試,但每個(gè)測(cè)試頭中的個(gè)性化板都會(huì)針對(duì)特定的設(shè)備,設(shè)備封裝和各種設(shè)備電路布置重新配置測(cè)試頭。
測(cè)試頭
•ITC57210-N和P溝道功率MOSFET的R開(kāi)關(guān)時(shí)間,MIL-STD-750,方法3472
•ITC57220-功率MOSFET和二管的Trr / Qrr,MIL-STD-750,方法3473
•ITC57230-功率MOSFET的柵電荷,MIL-STD-750,方法3471
•ITC57240 IGBT的電感性開(kāi)關(guān)時(shí)間,MIL-STD 750,方法3477
•ITC57250短路(Isc)耐受時(shí)間,MIL-STD 750,方法3479
•ITC57260-功率MOSFET的柵電阻(Rg),輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss),JEDEC標(biāo)準(zhǔn)JESD24-11
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