CVD石墨烯與CVD氮化硼異質(zhì)結(jié)構(gòu)（4片裝）

返回列表頁

參考價

面議

具體成交價以合同協(xié)議為準

產(chǎn)品型號

品牌

廠商性質(zhì)其他

所在地上海

在線詢價收藏產(chǎn)品查看聯(lián)系電話

聯(lián)系方式：袁文軍查看聯(lián)系方式

更新時間：2024-02-09 16:07:27瀏覽次數(shù)：80次

聯(lián)系我時，請告知來自環(huán)保在線

產(chǎn)品分類 品牌分類

  二維材料

二維材料粉末

二維材料溶液

碲化物晶體

硒化物晶體

硫化物晶體

絕緣體

鈣鈦礦

異質(zhì)結(jié)

MOFS材料

二維材料薄膜

黑磷

六方氮化硼

其他二維材料

全部產(chǎn)品列表

暫無信息

上海巨納科技有限公司

經(jīng)營模式：其他

商鋪產(chǎn)品：574條

所在地區(qū)：

聯(lián)系人：袁文軍

詢價 給他留言

產(chǎn)品簡介

簡要描述：CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

詳細介紹

CVD Graphene/CVD Hexagonal Boron Nitride heterostructure on SiO2/Si wafer

Properties of Graphene/h-BN Film:

Single Layer Graphene Film on Single Layer h-BN Film transferred onto 285 nm (p-doped) SiO2/Si wafer

Size: 1cmx1cm; 4 pack

The thickness and quality of each film is controlled by Raman Spectroscopy

The coverage of this product is about 98%

The films are continuous, with minor holes and organic residues

High Crystalline Quality

The graphene film is premodominantly single layer (more than 95%) with occasional small multilayer islands (less than 5% bi-layers)

Sheet Resistance: 430-800 Ω/square

Properties of Silicon/Silicon Dioxide Wafers:
Oxide Thickness: 285 nm
Oxide Thickness: 285 nm
Color: Violet
Wafer thickness: 525 micron
Resistivity: 0.001-0.005 ohm-cm
Type/Dopant: P/Boron
Orientation: <100>
Front Surface: Polished
Back Surface: Etched