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NP1216DR-G

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參考價: ￥ 95.3

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具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號Np1216

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)經(jīng)銷商

所在地深圳市

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更新時間：2022-07-07 09:36:37瀏覽次數(shù)：248次

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深圳市東誠興電子有限公司

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聯(lián)系人：楊陽（銷售）

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產(chǎn)品簡介

測量范圍	1	測量精度	1
分辨率	1	加工定制	否
1	1

NP1216DR-G
LDO，DC-DC，電源IC，MOS管，場效應(yīng)管，充電IC，無刷電機、PD芯片，電子元器件

詳細(xì)介紹

NP1216DR-G

12V P溝道增強型MOSFET描述NP1216DR采用*的trench技術(shù)提供出色的RDS(上)一般特征、低柵極電荷和以低至1.8V的柵極電壓工作。這器件適合用作負(fù)載開關(guān)或用于PWM應(yīng)用程序。? VDS =-12V，IDR =-16ADS(開)(典型值。)= 18mω@ VGSR =-2.5VDS(開)(典型值。)= 13mω@ VGS?高功率和電流處理能力=-4.5V收購?無鉛產(chǎn)品?表面貼裝封裝應(yīng)用? PWM應(yīng)用?負(fù)荷開關(guān)包裹?東風(fēng)2*2-6L-B

主營產(chǎn)品：電源管理IC(LDO、DC-DC、充電IC、復(fù)位/檢測IC、驅(qū)動IC、音頻功放、霍爾開關(guān)、馬達(dá)驅(qū)動等)和MOS（低壓MOS、中壓MOS、大電流MOS）

關(guān)鍵詞：負(fù)荷開關(guān)