1.HPC 和硬 X 射線的直接檢測(cè)以獲得超高質(zhì)量的數(shù)據(jù)
PILATUS3 R CdTe 系列探測(cè)器結(jié)合了混合光子計(jì)數(shù) (HPC) 的優(yōu)勢(shì)和在大型碲化鎘 (CdTe) 傳感器中直接探測(cè)硬 X 射線的優(yōu)勢(shì)。 CdTe 為 Mo、Ag 和 In 輻射提供接近的吸收效率。 結(jié)合無(wú)噪聲單光子計(jì)數(shù),這將實(shí)驗(yàn)室中的 X 射線檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確度提升到一個(gè)新的水平。電荷密度研究和對(duì)分布函數(shù)分析等具有挑戰(zhàn)性的實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用依賴于硬輻射和具有出色信噪比的數(shù)據(jù)。 PILATUS3 R CdTe 探測(cè)器在這些應(yīng)用中表現(xiàn)出色,因?yàn)闆](méi)有暗電流和讀出噪聲,動(dòng)態(tài)范圍遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于典型的電荷積分探測(cè)器。
2.核心優(yōu)勢(shì)
- Mo,Ag和In量子效率> 90%
- 沒(méi)有圖像滯后和沒(méi)有余輝
- 直接檢測(cè)和小像素尺寸以獲得超佳光斑分離和超小背景重疊
- 高動(dòng)態(tài)范圍得益于零探測(cè)器背景噪聲、出色的計(jì)數(shù)率和同步讀/寫
- 噪聲和熒光抑制
3.應(yīng)用領(lǐng)域
- 大分子晶體學(xué)(MX)
- 化學(xué)結(jié)晶學(xué)
- SAXS/WAXS
- μCT
- 勞厄衍射
- 高分辨率化學(xué)結(jié)晶學(xué)
- 對(duì)分布函數(shù)(PDF)分析
- 關(guān)鍵尺寸SAXS
- 計(jì)算機(jī)斷層掃描(CT)
4.技術(shù)規(guī)格
PILATUS3 R CdTe | 1M | 300K | 300K-W | 100K |
探測(cè)器模塊數(shù)量 | 2 × 5 | 1 × 3 | 3 × 1 | 1 × 1 |
有效面積:寬×高 [mm2] | 168.7 x 179.4 | 83.8 × 106.5 | 253.7 x 33.5 | 83.8 x 33.5 |
像素大小 [μm2] | 172 x 172 |
總像素?cái)?shù)量 | 981 x 1043 | 487 × 619 | 1475 × 195 | 487 x 195 |
間隙寬度, 水平/垂直(像素) *每個(gè)模塊之間水平間隙增加1個(gè)像素 | 7* / 17 | - */ 17 | 7* / - | -* / - |
非靈敏區(qū) [ % ] | 7.8 | 5.7 | 1.1 | 0.2 |
缺陷像素 | < 0.1% |
z大幀頻 [Hz] | 5 | 20 | 20 | 20 |
讀出時(shí)間 [ms] | 7 |
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù) | 1 pixel(FWHM) |
計(jì)數(shù)器深度 | 20 bits(1,048,576 counts) |
功耗 [W] | 165 | 30 | 30 | 30 |
尺寸(WHD)[mm3] | 265 x 286 x 455 | 158 x 193 x 262 | 280 x 62 x 296 | 114 x 69 x 118 (探頭) |
重量 [kg] | 25 | 7.5 | 7.0 | 0.9(探頭) |
模塊冷卻 | 水冷 | 水冷 | 水冷 | 水冷 |
外接觸發(fā)電壓 | 5V TTL | 5V TTL | \ | \ |
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