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小三溫區(qū)等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng) (型號:PECVD-IIIS-500A) 實驗室臭氧發(fā)生機

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更新時間:2023-06-03 09:27:37瀏覽次數(shù):239次

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主要特點BTF-1200C-IIIS-PECVD高溫真空爐加熱腔體采用氧化鋁纖維制品,其極低的熱導率和比熱容,保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱,特別適合于科研單位的材料工藝研究

主要特點

BTF-1200C-IIIS-PECVD高溫真空爐加熱腔體采用氧化鋁纖維制品,其極低的熱導率和比熱容,保證了爐膛的快速升溫和低蓄熱,特別適合于科研單位的材料工藝研究。加熱元件選用電阻絲加熱,有利于爐內(nèi)溫度場的均勻分布。高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控制系統(tǒng),控溫儀表選用智能型程序溫度調(diào)節(jié)儀表控溫,電力調(diào)制器控制;負載采用小電壓大電流控制,從而大大提高了發(fā)熱元件的壽命,測溫元件采用K型熱偶。采用單回路溫控儀能夠自整定PID 參數(shù),無須操作人員的干預,可自行根據(jù)不同溫度曲線的升、降溫要求調(diào)整輸出信號,同時系統(tǒng)設置了超溫、欠溫、斷偶報警保護功能,大大降低了對操作人員經(jīng)驗的要求,關鍵電氣元件采用優(yōu)質(zhì)的進口產(chǎn)品,做到高性能、免維護,提高了設備質(zhì)量的可靠性。 本設備主要針對實驗和中試石墨烯生長和制備使用,同時該設備可以用于碳納米管的生長??芍苽涑龈哔|(zhì)量的透明導電膜,用作手機觸摸屏,平板電腦,傳感器等領域。

技術參數(shù)

Z高溫度

1200

使用溫度

≤1100

爐膛有效尺寸

Φ25/?50/?60/?80/?100*2000mm(各管徑可選)

爐膛材料

氧化鋁、高溫纖維制品

熱電偶類型

K型熱電偶

控溫精度

±1

控溫方式

30段可編程控溫,PID參數(shù)自整定,操作界面為10"工控電腦,內(nèi)置PLC控制程序,可將溫控系統(tǒng)、滑軌爐滑動(時間和距離)設定為程序控制。

加熱長度

200+200+200mm600mm

恒溫長度

400mm

加熱原件

電阻絲

供電電源

單相,220V50Hz

2、PE射頻電源

信號頻率

13.56 MHz±0.005%

功率輸出范圍

0W~500W

Z大反射功率

100W

射頻輸出接口

50 Ω, N-type, female

功率穩(wěn)定度

≤5W

諧波分量

≤-50dbc

供電電壓

單相交流(187V-253V) 頻率50/60HZ

整機效率

>=70%

功率因素

>=90%

冷卻方式

強制風冷

3、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)

連接頭類型

雙卡套不銹鋼接頭

標準量程(N2)

50sccm,100sccm、500sccm(可根據(jù)用戶要求定制)

準確度

±1.5%F.S

線性

±1%F.S

重復精度

±0.2%F.S

響應時間

氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec

工作壓差范圍

0.1~0.5 MPa

Z大壓力

3MPa

接口

Φ6,1/4''

顯示

4位數(shù)字顯示

工作環(huán)境溫度

5~45高純氣體

壓力真空表

-0.1~0.15 MPa, 0.01 MPa/格

截止閥

Φ6

內(nèi)外雙拋不銹鋼管

Φ6

4、低真空機組

空氣相對濕度

≤85%

工作環(huán)境

5℃~40℃

工作電電壓

220V±10% 50~60HZ

功率

1KW

抽氣速率

10m3/h

極限真空

5X10-1Pa

工作壓力范圍

1.01325X105~1.33X10-2Pa

耐壓值

0.03MPa

容油量

1.1L

進氣口口徑

KF25

排氣口口徑

KF25

噪音

50dB

連接方式

采用波紋管,手動擋板閥與波紋管相連


智能型雙溫區(qū)等離子化學氣相沉積系統(tǒng)(型號:BTF-1200C-II-A

主要特點:一、此設備的高溫真空電阻爐溫度控制系統(tǒng)采用經(jīng)典的閉環(huán)負反饋控

三溫區(qū)智能型等離子體化學沉積系統(tǒng)(BTF-1200C-III-500A

主要特點:此款智能型等離子體增強化學沉積系統(tǒng)的高溫真空爐加熱腔體采用進

連續(xù)進出料等離子體增強回轉設備-BTF-1200C-RP-PECVD

主要特點該款設備是全自動Plasma增強CVD系統(tǒng)(PECVD)

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