污水處理設(shè)備 污泥處理設(shè)備 水處理過濾器 軟化水設(shè)備/除鹽設(shè)備 純凈水設(shè)備 消毒設(shè)備|加藥設(shè)備 供水/儲水/集水/排水/輔助 水處理膜 過濾器濾芯 水處理濾料 水處理劑 水處理填料 其它水處理設(shè)備
深圳市泰德蘭電子有限公司
暫無信息 |
閱讀:59發(fā)布時間:2023-1-5
MOSFET經(jīng)常用于不同類型電機(jī)的電機(jī)驅(qū)動器,本文將為您介紹多款由安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)所推出的MOSFET的功能特性。
不同電機(jī)規(guī)格搭配不同的功率MOSFET
通過使用MOSFET這類的功率開關(guān)組件,對MOSFET進(jìn)行導(dǎo)通或關(guān)斷,可調(diào)節(jié)電機(jī)繞組所加電壓,以實現(xiàn)電機(jī)轉(zhuǎn)速或轉(zhuǎn)軸位置的控制,可用于直流有刷電機(jī)、直流無刷電機(jī)、步進(jìn)電機(jī)、開關(guān)磁阻電機(jī),以及交流感應(yīng)電機(jī)的驅(qū)動控制。
即使電機(jī)的類型不同,驅(qū)動電路的功能都是向電機(jī)繞組提供可控的電壓和電流。電壓和電流值會根據(jù)所用電機(jī)的類型和尺寸而有所變化,因此在選擇MOSFET之時,必須先確認(rèn)驅(qū)動電機(jī)所需的功率,才能選擇合適的功率開關(guān)組件。由于不同電機(jī)類型的電壓和電流額定值不同,因此應(yīng)根據(jù)應(yīng)用和設(shè)計目標(biāo)的要求,選擇具有特定額定值的驅(qū)動器件。
多種規(guī)格滿足不同電機(jī)應(yīng)用需求
安森美半導(dǎo)體擁有多樣規(guī)格的MOSFET功率器件,針對電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,這些MOSFET都具有低RDS(on)以最小化導(dǎo)通損耗,低QG和低輸入電容,可最小化開關(guān)損耗,減少驅(qū)動器損失,這些器件均是無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,且符合RoHS要求等特性,以下將為您介紹幾款常用的MOSFET供您選擇。
NTMFS5C404N是一款單N溝道的功率MOSFET,支持40V、378A、0.7mΩ,具有面積?。?x6毫米)的緊湊設(shè)計,結(jié)溫為175℃,可為具備熱挑戰(zhàn)應(yīng)用,提供更大的設(shè)計余量。
NTMFS5C404NL則是一款單N溝道的功率MOSFET,支持40V、370 A、0.67 mΩ,具有5x6毫米的小面積緊湊設(shè)計。NTMFS5C404NL與NTMFS5C404N都可應(yīng)用于負(fù)載點模塊、高性能DC-DC轉(zhuǎn)換器、次級同步整流、直流電機(jī)驅(qū)動,終端產(chǎn)品則為網(wǎng)通、電信設(shè)備、服務(wù)器與手持式電動工具等。
NTMFS5C604N則是一款60V、280A、1.2mΩ、單N溝道,采用SO8-FL封裝的功率MOSFET,適用于緊湊和高效設(shè)計的商業(yè)應(yīng)用,安裝在5x6mm扁平引線封裝中,且具有較高的熱性能。NTMFS5C604N采用小面積的5x6毫米緊湊設(shè)計,可應(yīng)用于電機(jī)控制、電源開關(guān)(高側(cè)驅(qū)動器、低側(cè)驅(qū)動器、H-Bridge等)、同步整流器,終端產(chǎn)品則為開關(guān)電源、電動工具、太陽能逆變器、電池管理等。
NTBLS0D7N06C則是一款單路、N通道,采用TOLL封裝,支持60 V,0.75 mΩ、470 A的功率MOSFET,可降低開關(guān)噪聲/EMI。典型應(yīng)用為電池負(fù)載開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動,終端產(chǎn)品為用電池操作的電動工具、電池供電的真空吸塵器,無人航空載具(UAV)/無人機(jī)、物料搬運、電池管理系統(tǒng)(BMS)/存儲、家庭自動化等。
Power Trench工藝結(jié)合屏蔽閘極技術(shù) (T6 MOSFETs)
安森美半導(dǎo)體還擁有一系列采用Power Trench工藝生產(chǎn)的MOSFET功率器件,該工藝結(jié)合了屏蔽閘極溝槽技術(shù),此工藝經(jīng)過了優(yōu)化,可降低導(dǎo)通電阻,同時可保持的開關(guān)性能,以及具備業(yè)內(nèi)的軟體二極管,這些MOSFET的RDS(on)更低,效能更佳。
NTMTS0D4N04C是一款單N溝道、40V、558A、0.45mΩ,采用Power Trench工藝生產(chǎn)的薄型PQFN 8x8封裝的功率MOSFET,具有8x8毫米的小面積緊湊設(shè)計,擁有高峰值電流和低寄生電感,結(jié)溫為175℃,可為熱挑戰(zhàn)應(yīng)用提供更大的設(shè)計余量,采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的Power 88封裝。NTMTS0D4N04C可應(yīng)用于電機(jī)控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理/保護(hù)、動力轉(zhuǎn)向/負(fù)荷開關(guān),終端產(chǎn)品包括電動工具、電動踏板車、無人機(jī)、電池管理/保護(hù)、網(wǎng)通、電信設(shè)備與電源供應(yīng)器等。
NTMTS0D4N04CL同樣是一款單N溝道功率MOSFET 40V,支持553.8A、0.4mΩ,采用PQFN 8x8封裝,它與NTMTS0D4N04C都采用了Power Trench工藝生產(chǎn),因此具有相同的特性,可保持出色的開關(guān)性能。NTMTS0D4N04CL的占用面積小,為8x8毫米的緊湊設(shè)計。典型應(yīng)用包括電動工具、電池供電的真空吸塵器、UAV/無人機(jī)、物料搬運、BMS/存儲、家庭自動化等。
NTMTS0D7N06C是一款單N溝道的功率MOSFET,支持60V、464 A、0.72mΩ,采用PQFN 8x8封裝,這款N溝道T6 60V中壓MOSFET是使用安森美半導(dǎo)體的*Power Trench工藝生產(chǎn),采用薄型PQFN 8x8封裝的緊湊設(shè)計,具備高峰值電流和低寄生電感,可為熱挑戰(zhàn)應(yīng)用提供更大的設(shè)計余量,結(jié)溫為175℃。
NTMTS0D7N06CL則是單N溝道,60V、477A、0.68mΩ,采用薄型PQFN 8x8封裝的功率MOSFET,此N溝道T6 60V MV MOSFET也是使用安森美半導(dǎo)體*的Power Trench工藝生產(chǎn)的,擁有與NTMTS0D7N06C相似的特性。NTMTS0D7N06CL占用面積?。?x8毫米),設(shè)計相當(dāng)緊湊,結(jié)溫為175℃,具備高峰值電流和低寄生電感,可為熱挑戰(zhàn)應(yīng)用提供更大的設(shè)計余量,采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的Power 88封裝。
NTMTS0D7N06C與NTMTS0D7N06CL的典型應(yīng)用包括電機(jī)控制、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電池管理/保護(hù)、動力轉(zhuǎn)向/負(fù)荷開關(guān),終端產(chǎn)品包括電動工具、電池供電的真空吸塵器、電動踏板車、UAV/無人機(jī)、物料搬運、BMS/存儲、電池組/儲能單元、電信、網(wǎng)通設(shè)備、電源供應(yīng)器、家庭自動化等。
環(huán)保在線 設(shè)計制作,未經(jīng)允許翻錄必究 .? ? ?
請輸入賬號
請輸入密碼
請輸驗證碼
請輸入你感興趣的產(chǎn)品
請簡單描述您的需求
請選擇省份