環(huán)保在線
詳細(xì)介紹
探測(cè)器以熱電冷卻的Si-Pin光電二極管作為X射線探測(cè)元器件，根據(jù)不同探測(cè)器類型和峰化時(shí)間，55Fe的5.9KeV峰值分辨率可達(dá)145eV; FAST SDD 探測(cè)器峰值分辨率更可達(dá)122eV。
XR-100系列 探測(cè)器型號(hào) | 探測(cè)器材料 | 探測(cè)器面積 | 探測(cè)器厚度 | 鈹(Be)窗 厚度 | 備注 |
XY-FSG32MD-G3SP | Si-PIN | 6 mm2 | 500 μm | 1 mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-FS432MD-G3SP | Si-PIN | 13mm2 | 500 μm | 1 mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-FSJ32MD-G3SP | Si-PIN | 25mm2 | 500 μm | 1 mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-FSG32MD-G2SP | Si-PIN | 6mm2 | 500 μm | 0.5mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-GSH3AMD-G2SP | SDD | 25mm2 | 500 μm | 0.5mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-GSH3AMD-E1SP | SDD | 25mm2 | 500 μm | 0.3mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-GSH3AMD-UOEA | SDD | 25mm2 | 500 μm | C1 Window | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-GSH3AMD-E6EA | SDD | 25mm2 | 500 μm | C2 Window | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-HSH3AMD-G2S | FAST SDD | 25mm2 | 500 μm | 0.5mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-HSH3AMD-G1S | FAST SDD | 25mm2 | 500 μm | 0.3mil | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-HSH3AMD-U0EA | FAST SDD | 25mm2 | 500 μm | C1 Window | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
XY-HSH3AMD-E6EA | FAST SDD | 25mm2 | 500 μm | C2 Window | 有內(nèi)置準(zhǔn)直器 |
** Silicon Drift Detector (SDD) uses a junction gate field-effect transistor (JFET) inside the hermetically sealed TO-8 package, along with an external preamplifier. FAST SDD uses a complementary metal-oxide-semiconductor () preamplifier inside the TO-8 package, and replaces the JFET with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).
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