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汕頭市羅克自動化科技有限公司
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產(chǎn)品型號6MBI450U4-120
品 牌
廠商性質(zhì)經(jīng)銷商
所 在 地汕頭市
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更新時間：2022-07-18 11:15:26瀏覽次數(shù)：318次
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6MBI450U4-120 富士IGBT模塊留意事項：
由于IGBT模塊為MOSFET構(gòu)造，IGBT的柵極經(jīng)過一層氧化膜與發(fā)射極完成電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓普通到達20～30V。因而因靜電而招致柵極擊穿是IGBT失效的常見緣由之一。
6MBI450U4-120富士IGBT模塊銷售可維修，汕頭市羅克自動化科技有限公司全心全意為您服務！6MBI450U4-120富士IGBT模塊實物圖如下：
6MBI450U4-120富士IGBT模塊
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6MBI450U4-120富士IGBT模塊
6MBI450U4-120富士IGBT模塊留意事項：
由于IGBT模塊為MOSFET構(gòu)造，IGBT的柵極經(jīng)過一層氧化膜與發(fā)射極完成電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓普通到達20～30V。因而因靜電而招致柵極擊穿是IGBT失效的常見緣由之一。
因而運用中要留意以下幾點：
1.在運用模塊時，盡量不要用手觸摸驅(qū)動端子局部，當必需要觸摸模塊端子時，要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地停止放電后，再觸摸;
2.在用導電資料銜接模塊驅(qū)動端子時，在配線未接好之前請先不要接上模塊;
3.盡量在底板良好接地的狀況下操作。
在應用中有時固然保證了柵極驅(qū)動電壓沒有超越柵*額定電壓，但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合，也會產(chǎn)生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此，通常采用雙絞線來傳送驅(qū)動信號，以減少寄生電感。在柵極連線中串聯(lián)小電阻也能夠抑止振蕩電壓。
此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，假如集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT發(fā)熱及至損壞。
在運用IGBT的場所，當柵極回路不正?；驏艠O回路損壞時(柵極處于開路狀態(tài))，若在主回路上加上電壓，則IGBT就會損壞，為避免此類毛病，應在柵極與發(fā)射極之間串接一只10KΩ左右的電阻。
在裝置或改換IGBT模塊時，應非常注重IGBT模塊與散熱片的接觸面狀態(tài)和擰緊水平。為了減少接觸熱阻，好在散熱器與IGBT模塊間涂抹導熱硅脂。普通散熱片底部裝置有散熱風扇，當散熱風扇損壞中散熱片散熱不良時將招致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)作毛病。
因而對散熱風扇應定期停止檢查，普通在散熱片上靠近IGBT模塊的*裝置有溫度感應器，當溫渡過高時將報警或中止IGBT模塊工作。
1.盡量遠離有腐蝕性氣體或灰塵較多的場所;
2.普通保管IGBT模塊的場所，應堅持常溫常濕狀態(tài)，不應偏離太大。常溫的規(guī)則為5～35℃，常濕的規(guī)則在45～75%左右。在冬天特別枯燥的地域，需用加濕機加濕;
3.在溫度發(fā)作急劇變化的場所IGBT模塊外表可能有結(jié)露水的現(xiàn)象，因而IGBT模塊應放在溫度變化較小的*;
4.保管時，須留意不要在IGBT模塊上堆放重物;
5.裝IGBT模塊的容器，應選用不帶靜電的容器。
6.檢測IGBT模塊的的方法。
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