一、產(chǎn)品簡介

    HDYM-II便攜式絕緣子鹽密度測試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測，是測量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡稱“鹽密”）的測量儀器，同時(shí)還可以測量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。

    污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ)，準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù)，是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此，鹽密測量工作對電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。

參照標(biāo)準(zhǔn)：

    GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》

    GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》

    Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》

相關(guān)術(shù)語：

    1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator

       XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。

    2、爬電距離 creepage distance

        在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的短距離。

        注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn) 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。

    3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）

        絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運(yùn)行電壓（對于交流系統(tǒng)，為相電壓）之比，mm/kV。

    4、附鹽密度 salt deposit density（SDD）

        人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上NACL總量除以表面積，mg/cm²。

    5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）

        絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。

    6、不溶物密度（簡稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）

        絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。

    7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity（SES）

        根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。

    8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity（SPS）

        在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的大值。

    9、現(xiàn)場污穢度等級(jí) site pollution severity class

        將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。

    10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1

        同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。

二、功能特點(diǎn)

    (1)具有量程自動(dòng)切換功能，測量速度快（2s/次）。

    (2)測量范圍大，鹽密范圍0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2。

    (3)中英文界面可自主切換。

    (4)采用2.8寸真彩液晶屏幕。

    (5)可直接顯示鹽密度、污穢等級(jí)、統(tǒng)一爬電比距。

    (6)自動(dòng)進(jìn)行溫度補(bǔ)償，直接顯示20℃時(shí)的標(biāo)準(zhǔn)電導(dǎo)率和等值附鹽（ESDD）；

    (7)具有自動(dòng)祛除原溶液含鹽量的功能，降低了對清洗液的要求。

    (8)自動(dòng)將不帶電測量的鹽密度（ESDD）轉(zhuǎn)換為帶電測量的鹽密度（ESDD）。

    (9)可存儲(chǔ)10萬組記錄，并可將記錄保存至SD卡在電腦上讀取。

    (10)可查閱、刪除單條記錄，也可刪除所有記錄。

    (11)內(nèi)置大容量充電鋰電池（2600mAh），適合野外現(xiàn)場使用。

三、產(chǎn)品參數(shù)

    3.1 測量范圍：

                鹽密：0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2（按X-4.5型絕緣子為準(zhǔn)）

                測量溫度：0℃～100℃

                測量電導(dǎo)率：0～200000μs/cm

    3.2 基本誤差：

               測量鹽密：分辨率0.0001 mg/cm2

               滿量程精度：±2%

               測量溫度：分辨率0.1℃，精度±0.5℃

               測量電導(dǎo)率：分辨率0.01μs/cm

    3.3 環(huán)境溫度：0℃～60℃。

    3.4 環(huán)境濕度:  <90%。

    3.5 體積與重量

              手持主機(jī)尺寸：長210mm*寬100mm*厚36mm。

              整機(jī)機(jī)箱尺寸：長335mm*寬260mm*高130mm。

              手持主機(jī)重量：約0.5Kg。

              整機(jī)重量：約2.5Kg。

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說明一點(diǎn)的是，針對大電容的設(shè)備如變壓器、電纜等進(jìn)行tgδ的測量時(shí)，只能發(fā)現(xiàn)他們的整體分布性缺陷，而其局部集中性的缺陷可能不會(huì)被發(fā)現(xiàn)；而對于套管、互感器等小電容量的設(shè)備，測tgδ能有效地發(fā)現(xiàn)其局部集中性和整體分布性的缺陷，詳見如下分析。這也是大型變壓器不僅要單獨(dú)測試引出線套管的tgδ，也要測套管連同繞組的介損tgδ，就是因?yàn)樘坠苋粲腥毕輹r(shí)在整體絕緣良好時(shí)不能體現(xiàn)出來。

一般設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)都由多層絕緣、多種材料構(gòu)成。如局部有缺陷絕緣用C ₁ tgδ₁表示，其他良好絕緣用C ₂tgδ₂表示，兩部分并聯(lián)，則有P₁ = C ₁ tgδ₁   P₂ = C ₂ tgδ₂

而總的損耗為P = U² ωC tgδ  ①

U、ω一定時(shí)，P與C、tgδ有關(guān)， → P = C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂  又C = C₁  + C₂

則  C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂ = C tgδ

tgδ= （C ₁ tgδ₁ + C ₂ tgδ₂）/（C₁  + C₂）   ②

若套管電容C ₁= 250PF，tgδ₁= 5%           （超差）

而變壓器電容C ₂= 10000PF，tgδ₂= 0.4%      （良好）

從②式可以看出總tgδ= 0.5 %                （合格），可見明顯形成了誤判斷。

設(shè)備的選取及常規(guī)試驗(yàn)方法：因?yàn)榫群挽`敏度的原因，測變壓器和一般套管的介損時(shí)（包括電容式CT），應(yīng)采用HD6000A光導(dǎo)介損測試儀，而當(dāng)測試電容式PT電容量和tgδ時(shí)，可采用HD6000異頻介損測試儀，它介紹了CVT的中壓電容C ₂ 的測試方法，比較方便（自激法）。兩者的原理前者是通過比較內(nèi)部標(biāo)準(zhǔn)回路電流和被試品的電流的幅值及相互的相差，后者是電橋原理，離散傅立葉算法。一般接線形式主要有二種：正接法：適用于測量兩相對地絕緣的設(shè)備，測試精度較高，如套管和電容式CT的主絕緣tgδ，耦合電容的的tgδ等；反接法：適用于測量一級(jí)接地的設(shè)備，儀器的外殼必須接地可靠，如變壓器連同套管和繞組的tgδ，套管和電容式CT的末屏tgδ等。另外還有自激法，對角接線等，不同的試驗(yàn)設(shè)備均有不同的接線形式，取決于現(xiàn)場環(huán)境及標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備。

需要說明的是現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)要?jiǎng)?chuàng)造條件，力求測試精度，如主變高低壓側(cè)套管的tgδ測試必須要用正接法，應(yīng)要求安裝單位制作測試平臺(tái)，以達(dá)到兩極絕緣的條件。

對于CVT中壓電容的tgδ測試，應(yīng)充分理解儀器的操作程序，按照其說明，操作規(guī)程進(jìn)行試驗(yàn)。福州市便攜式絕緣子鹽密度測試儀生產(chǎn)工廠福州市便攜式絕緣子鹽密度測試儀生產(chǎn)工廠

交接規(guī)程的一般要求及條款：電力變壓器：當(dāng)電壓等級(jí)為35KV及以上，且容量在8000KVA以上時(shí)，應(yīng)測試tgδ，其tgδ值不應(yīng)大于產(chǎn)品出廠試驗(yàn)值的130%，對于300MW或600MW機(jī)組的廠高變，一般未達(dá)到上述要求，交接試驗(yàn)可不作；但一般廠家出廠試驗(yàn)均有該項(xiàng)目的數(shù)據(jù)，為充分體現(xiàn)對用戶負(fù)責(zé)的思想，建議測試以便比較，但不出試驗(yàn)報(bào)告。互感器：規(guī)定了20℃下電流互感器（油紙電容式）的tgδ，220KV≤0.6%，330KV≤0.5，500KV≤0.5。其電容與銘牌差值應(yīng)在±10%之內(nèi)，只針對主絕緣。而電壓互感器只規(guī)定了35KV及以上油浸式的tgδ值，35KV的20℃時(shí)≤3.5%，35KV以上的不應(yīng)大于出廠值的130%。套管：現(xiàn)場一般有油紙電容式，20-500KV下，tgδ≤0.7%，電容差值在±10%范圍內(nèi)。說明一點(diǎn)，不管電容式CT還是電容式套管，都會(huì)有末屏，應(yīng)在測主絕緣tgδ之