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深圳市華科智源科技有限公司
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當(dāng)前位置:深圳市華科智源科技有限公司>>IGBT測試儀>>IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀>> HUSTEC-1600A-MT便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀

便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀

參   考   價(jià): 200

訂  貨  量: ≥1 臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)HUSTEC-1600A-MT

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地深圳市

更新時(shí)間:2022-02-24 13:33:10瀏覽次數(shù):1468次

聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 環(huán)保在線
測量范圍 igbt mos bjt 測量精度 Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)cm;mm 用途 檢修地鐵 汽車
重量 30kg
便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀
自動(dòng)化:單機(jī)測試時(shí)只需手動(dòng)放置DUT,也可連接機(jī)械選件實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測試線?
智能化,通過主控計(jì)算機(jī)進(jìn)行操控及數(shù)據(jù)編輯,測試結(jié)果自動(dòng)保存及上傳局域網(wǎng)?
?軌道級(jí)IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀具有 安全性,防爆,防觸電,防燙傷,短路保護(hù)等多重保護(hù)措施,確保操作人員、設(shè)備、數(shù)據(jù)及樣品安全。

軌道級(jí)IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測試儀廠家直供。
產(chǎn)品系列
晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
動(dòng)態(tài)參數(shù)測試(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
環(huán)境老化測試(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
熱特性測試(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

 

二、便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀產(chǎn)品特點(diǎn)

  1. 獨(dú)立的動(dòng)態(tài)或靜態(tài)測試,或動(dòng)靜態(tài)一體測試
  2. 系統(tǒng)整體寄生電感低于30nH
  3. 電流輸出能力10A2000A(短路的5500A)
  4. 電壓輸出能力從50V1500V
  5. 雪崩和短路測試可用。
  6. IGBT測試*符合IEC 60747-9-2.0
  7. 二極管測試*兼容測試IEC 60747-2-2.0
  8. 可定制的測試選項(xiàng)
  9. *符合安全標(biāo)準(zhǔn)
  10. 提供自動(dòng)測試平臺(tái),實(shí)現(xiàn)和自動(dòng)化機(jī)械的無縫連接
  11. 無縫數(shù)據(jù)傳輸和數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)分析
  12. *新的圖形用戶界面

三、便攜式igbt靜態(tài)參數(shù)測試儀測試能力

  1. 柵極漏電流 IGES Ige 0 - 10μA,Vge 0-100V
  2. 柵極閥值電壓 VGE(th)  Vge 0 - 20V ,ice 0-2A
  3. 導(dǎo)通特性 VCEsatVce 0 - 10V,Ice 0-8000A
  4. 開通電阻 Rdson:0.1-500ohm
  5. 正向特性 VF:Vf 0 - 10VIf 0.1-2000A
  6. C-E擊穿電壓 VCES:  Ice 0.1uA-100mA ,Vce 0-10000V
  7. 集電極關(guān)斷電流 ICES: Vce0 - 10000V Ice0.01 - 100mA
  • 測試選件:

夾斷電壓 VP 

  • 適用于模塊類型:

HPD,HP1,HP2,雙面散熱等封裝形式的汽車級(jí)模塊

晶體管圖示儀
半導(dǎo)體分立器件測試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)參數(shù)測試(包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等)
動(dòng)態(tài)參數(shù)測試(包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等)
環(huán)境老化測試(包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等)
熱特性測試(包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等)
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件

 

參數(shù)/條件

         
 

參  數(shù)

   

ENJ 35200 IGBT

ENJ 30200 IGBT

     

靜態(tài)參數(shù)自動(dòng)測試系統(tǒng)

靜態(tài)參數(shù)手動(dòng)測試系統(tǒng)

 

條  件

   

柵極-發(fā)射極漏電流IGES

         

IGES: 0.1-10uA±3±0.1uA

         

集電極電壓VCE: 0V

         

柵 極 電 壓 VGE: 20V ±3±0.2V

         

集電極-發(fā)射極電壓BVCES

         

集電極電壓VCES: 100-3500V±5±10V(選配)

         

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA

 

100-3500V±5±10V

100-3000V±5±10V

柵 極 電 壓 VGE: 0V

         

集電極發(fā)射極飽和電壓VCESAT

         

VCESAT:0.1-10V

         

柵極電壓 V G E : ±15V±2±0.2V

         

集電極電流ICE:10-200A±5(選配)

   

10-200A±5

10-200A±5

集電極-發(fā)射極截止電流ICES

         

集電極電流ICES: 0.1-30mA±5±0.01mA

   

100-3500V±5

100-3000V±5

集電極電壓VCE: 100-3500V±5(選配)

         

柵 極 電 壓V G E : 0V

         

柵極-發(fā)射極閥值電壓測試VGETH

         

VGETH: 0.1-10V±3±0.1V

         

VGE=VCE

         

集電極電流ICE: 30mA±3

         

二極管壓降測試VF

         

VF: 0.1-5V±3±0.01V

         

柵極電壓VGE: 0V

         

流  I F :10-200A±5(選配)

   

10-200A±5

10-200A±5

導(dǎo)通電流  IC:10-200A±5

         

柵極電壓VGE:±15V±0.2V

         

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