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華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀返回列表頁

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參考價(jià): ￥ 200

訂貨量: ≥1 臺

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號ITC57300

品牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所在地深圳市

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更新時(shí)間：2020-11-02 14:26:21瀏覽次數(shù)：764次

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產(chǎn)品分類品牌分類

IGBT測試儀: IGBT模塊測試儀 IGBT模塊測試系統(tǒng) 便攜式IGBT測試儀大功率IGBT測試儀檢修用IGBT測試儀在線式IGBT測試儀 IGBT動態(tài)參數(shù)測試儀 IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀

全部產(chǎn)品列表

產(chǎn)品簡介

測量范圍	igbt mos bjt	測量精度	Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；mm	用途	檢修地鐵汽車
重量	30kg

華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀產(chǎn)品優(yōu)勢：性價(jià)比高，可測器件種類多且參數(shù)齊全、測試精度高、速度快、保護(hù)性強(qiáng)、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務(wù)及時(shí)周到。

服務(wù)領(lǐng)域：軌道交通、電動汽車、電力電子、航天、中船、科研高校等。

詳情介紹

華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀業(yè)務(wù)范圍：大功率半導(dǎo)體測試系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)支持，同時(shí)還承擔(dān)著同類進(jìn)口產(chǎn)品的售后維修服務(wù)，測試技術(shù)服務(wù)。

華科智源 MOS管 IGBT及功率器件動態(tài)測試儀產(chǎn)品優(yōu)勢：性價(jià)比高，可測器件種類多且參數(shù)齊全、測試精度高、速度快、保護(hù)性強(qiáng)、故障率低、軟件豐富、操作使用方便、售后服務(wù)及時(shí)周到。

服務(wù)領(lǐng)域：軌道交通、電動汽車、電力電子、航天、中船、科研高校等。

功能單元	參數(shù)指標(biāo)
基本參數(shù)	功率源：5000V/1600A
柵極-發(fā)射極漏電流	IGES: 0.1-10uA±2±0.01uA
IGES	集電極電壓VCE: 0V
IGES	柵極電壓 Vge: 5-40V±3±0.1V
	柵極電壓 Vge: 5-40V±3±0.1V
	集電極電壓VCES: 200-3000V±2±10V
集電極-發(fā)射極電壓	集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA
	柵極電壓 Vge: 0V
集電極-發(fā)射極飽和	VCESat:0.1-5V±2±0.01V
電壓VCESat	柵極電壓Vge: ±15V±2±0.2V
電壓VCESat	集電極電流ICE: 10-100A±2±1A
	集電極電流ICE: 10-100A±2±1A
集電極-發(fā)射極截止	集電極電壓VCE: 200-3000V±3
集電極-發(fā)射極截止	集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA
電流ICES	集電極電流ICES: 0.1-1mA±3±0.01mA
電流ICES	柵極電壓VGE: 0V
	柵極電壓VGE: 0V
柵極-發(fā)射極閾值電	VGEth: 1-10V±2±0.1V
壓	Vce=15V
壓
二極管壓降測試	VF: 0.1-5V±2±0.01V
二極管壓降測試	IF:5-100A±2±1A
	IF:5-100A±2±1A
	Vge: 0V
反向擊穿BVR	BVR：200-3000V±2±10V
反向漏電流IR	IR：0.1-10mA±3±0.01mA
反向漏電流IR
導(dǎo)通電阻RDS（on）	1-10mΩ±2±0.1 mΩ
導(dǎo)通電阻RDS（on）	10-50mΩ±2±0.5 mΩ