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太陽(yáng)能電池EL檢測(cè)機(jī)、電致發(fā)光測(cè)試儀

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產(chǎn)品型號(hào)EL140S-M型

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所在地武漢市

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更新時(shí)間：2018-05-16 16:25:17瀏覽次數(shù)：721次

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武漢三工光電設(shè)備制造有限公司

經(jīng)營(yíng)模式：生產(chǎn)廠家

商鋪產(chǎn)品：92條

所在地區(qū)：湖北武漢市

聯(lián)系人：陶小姐

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產(chǎn)品簡(jiǎn)介

太陽(yáng)能電池EL檢測(cè)機(jī)用于檢測(cè)太陽(yáng)能電池組件有無(wú)隱裂、碎片、虛焊、斷柵及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異常現(xiàn)象

詳細(xì)介紹

EL140S-M型太陽(yáng)能組件EL缺陷測(cè)試儀

設(shè)備特點(diǎn)：

1、采用進(jìn)口制冷型紅外相機(jī)，保證圖像采集清晰準(zhǔn)確。

2、采用*的鏡面發(fā)射設(shè)計(jì)，有效降低光程，縮小設(shè)備體積。

3、氣動(dòng)控制設(shè)備操作，加速測(cè)試流程。

4、封閉式光路設(shè)計(jì)，有效適應(yīng)不同工作環(huán)境

設(shè)備主要參數(shù)

型號(hào)規(guī)格 EL140S-M

有效測(cè)試面積 1200mm X 2100mm

分辨率 140萬(wàn)像素,600萬(wàn)像素,1200萬(wàn)像素或1600萬(wàn)像素

靈敏度可檢測(cè)出裂紋寬度小于0.2μm

測(cè)試時(shí)間 1s—60s自由設(shè)定

測(cè)試方式無(wú)接觸式

電源參數(shù) 單相220V 10A zui大加載電壓80V，zui大加載電流 10A

配置測(cè)試機(jī)臺(tái)（含紅外成像儀）、電腦、專業(yè)軟件

應(yīng)用領(lǐng)域：

該設(shè)備用于檢測(cè)太陽(yáng)能電池組件有無(wú)隱裂、碎片、虛焊、斷柵及不同轉(zhuǎn)換效率單片電池異?，F(xiàn)象。

客戶價(jià)值：

1、設(shè)備穩(wěn)定、故障率小。

2測(cè)試精確圖像清晰，能有效反映被測(cè)組件的各類型缺陷。

3、測(cè)試時(shí)間短，有效提升測(cè)試新效率。

口號(hào)：的設(shè)計(jì)、*的選型成就EL測(cè)試的火眼金睛。

：陶女士 -8013
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公司：http://www.sunic.com.cn
測(cè)試分選：http://www.sunic.org

一、EL的測(cè)試原理
晶體硅太陽(yáng)電池外加正向偏置電壓，電源向太陽(yáng)電池注入大量非平衡載流子，電致發(fā)光依靠從擴(kuò)散區(qū)注入的大量非平衡載流子不斷地復(fù)合發(fā)光，放出光子；再利用CCD相機(jī)捕捉到這些光子，通過(guò)計(jì)算機(jī)進(jìn)行處理后顯示出來(lái)，整個(gè)的測(cè)試過(guò)程是在暗室中進(jìn)行，通過(guò)分析采集的圖像特種就能分辨出電池片和組件的潛在缺陷。
二、EL圖像分析
1.隱裂
硅材料的脆度較大，因此在電池生產(chǎn)強(qiáng)度決定于正向注入電流密度和少子擴(kuò)散長(zhǎng)度過(guò)程中，很容易產(chǎn)生裂片，裂片分兩種，一種是顯裂，另一種是隱裂。前者是肉眼可直接觀察到，但后者則不行。后者在組件的制作過(guò)程中更容易產(chǎn)生碎片等問(wèn)題，影響產(chǎn)能。通過(guò)EL圖就可以觀測(cè)到。
2.斷柵
印刷不良導(dǎo)致的正面銀柵線斷開(kāi)，EL圖中顯示為黑線狀。這是因?yàn)闁啪€斷掉后，從busbar上注入的電流在斷柵附近的電流密度較小，致EL發(fā)光強(qiáng)度下降。
3.燒結(jié)缺陷
一般而言，燒結(jié)參數(shù)沒(méi)有優(yōu)化或設(shè)備存在問(wèn)題時(shí)，EL圖上會(huì)顯示網(wǎng)紋印。采取頂針式或斜坡式的網(wǎng)帶則可有效消除網(wǎng)帶問(wèn)題。
4."黑心"片
直拉單晶硅拉棒系統(tǒng)中的熱量傳輸過(guò)程對(duì)晶體缺陷的形成與生長(zhǎng)起著決定性的作用。提高晶體的溫度梯度, 能提高晶體的生長(zhǎng)速率, 但過(guò)大的熱應(yīng)力極易產(chǎn)生位錯(cuò)。在“黑心”片的EL圖中可以清楚地看到清晰的旋渦缺陷, 它們是點(diǎn)缺陷的聚集, 產(chǎn)生于硅棒生長(zhǎng)時(shí)期。此種材料缺陷勢(shì)必導(dǎo)致硅的非平衡少數(shù)載流子濃度降低，降低該區(qū)域的EL發(fā)光強(qiáng)度。
5."漏電"問(wèn)題
在電池正面銀漿印刷時(shí)，由于硅片表面存在劃傷，漿料進(jìn)入裂縫的pn結(jié)位置，分選的IV測(cè)試加12V反壓時(shí)，直接導(dǎo)致正面pn結(jié)燒穿短路。因此，EL測(cè)試時(shí)，該區(qū)域顯示為黑色。