儀器簡(jiǎn)介：
日本AET微波(高頻)介電常數(shù)測(cè)試儀, 利用微波技術(shù)結(jié)合高Q腔以及3D電磁場(chǎng)模擬技術(shù)，采用德國(guó)CST公司的3D電磁類比軟件MW-StudioTM，測(cè)量材料的高頻介電常數(shù)，此方法保證了介電常數(shù)測(cè)量結(jié)果的精確性。
AET公司開發(fā)了誘電體共振腔，用于高介電常數(shù)，超低介電損耗的樣品。
技術(shù)參數(shù)：
可測(cè)試頻率范圍： 20G以下
介電常數(shù)Epsilon：5-200， 準(zhǔn)確度： ±1%，
介電損耗tangent delta：0.00001-0.001， 準(zhǔn)確度：±5%
主要特點(diǎn)：
高介電，低介電損耗材料量測(cè)。
應(yīng)用領(lǐng)域：
高速數(shù)字/微波電路用基底材料 ；濾波器和介電天線用低損耗電介質(zhì) ；化學(xué)制品；
薄膜與新材料；半導(dǎo)體材料；電子材料（包括CCL和PCB）
陶瓷材料；納米材料；光電材料等
相關(guān)資料
誘電體共振腔
