技術(shù)參數(shù):
分辨率: | 3.0nm@ 30KV(SE and W) | 4.0nm@ 30KV(VP with BSD) |
加速電壓 | 0.2—30KV | |
放大倍數(shù) | 7—1000000x | |
探針電流 | 0.5PA-5μA | |
X-射線分析工作距離 | 8.5mm 35度接收角 | |
低真空壓力范圍 | 10—400Pa (LS10:10-3000Pa) | |
工作室 | 310mm(φ)×220mm(h) | |
5軸優(yōu)中心自動(dòng)樣品臺(tái) | X=80mm Y=100mm Z=35mm T=-10°- 90°R=360° | |
較大試樣高度 | 100mm | |
大試樣直徑 | 200mm | |
系統(tǒng)控制 | 基于Windows 7 的SmartSEM操作系統(tǒng) | |
存儲(chǔ)分辨率 | 32,000 x 24,000 pixels |
產(chǎn)品應(yīng)用:
◆掃描電鏡(SEM)廣泛地應(yīng)用于金屬材料(鋼鐵、冶金、有色、機(jī)械加工)和非金屬材料(化學(xué)、化工、石油、地質(zhì)礦物學(xué)、橡膠、紡織、水泥、玻璃纖維)等檢驗(yàn)和研究。在材料科學(xué)研究、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、化學(xué)材料等領(lǐng)域進(jìn)行材料的微觀形貌、組織、成分分析,各種材料的形貌組織觀察,材料斷口分析和失效分析,材料實(shí)時(shí)微區(qū)成分分析,元素定量、定性成分分析,快速的多元素面掃描和線掃描分布測(cè)量,晶體、晶粒的相鑒定,晶粒尺寸、形狀分析,晶體、晶粒取向測(cè)量。