CME-MSE01-PV是針對光伏太陽能電池研發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域推出的高性能光譜橢偏儀。
CME-MSE01-PV用于測量和分析光伏領(lǐng)域中多層納米薄膜的層構(gòu)參數(shù)（如，厚度）和物理參數(shù)（如，折射率n、消光系數(shù)k），典型樣品包括：絨面單晶和多晶太陽電池上的單層減反膜（如SiNx，SiO2，TiO2，Al2O3等）和多層減反膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx ?/Al2O3?等），以及薄膜太陽電池中的多層納米薄膜。
特點(diǎn)：
粗糙絨面納米薄膜的高靈敏測量
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*的光能量增強(qiáng)技術(shù)、高信噪比的探測技術(shù)以及高信噪比的微弱信號處理方法，實(shí)現(xiàn)了對粗糙表面散射為主和極低反射率為特征的絨面太陽電池表面鍍層的高靈敏檢測。
晶體硅多層減反膜檢測
專門針對多層薄膜檢測而設(shè)計，可滿足晶體硅太陽能電池領(lǐng)域中的雙層膜，如（SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx ?/Al2O3等）的檢測。
秒級的快速測量
的快速橢偏采樣方法、***的關(guān)鍵部件、自動化的測量軟件，在保證高精度和準(zhǔn)確度的同時，可在10秒內(nèi)快速完成一次測量。
一鍵式儀器操作
對于常規(guī)操作，只需鼠標(biāo)點(diǎn)擊一個按鈕即可完成復(fù)雜的測量、建模、擬合和分析過程，豐富的模型庫和材料庫也同時方便了用戶的***操作需求。
應(yīng)用：
CME-MSE01-PV可用于測量絨面單晶或多晶硅太陽電池表面上納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k，包括：單層減反膜（如， SiNx， TiO2，SiO2，A12O3等）、雙層納米薄膜（如，SiNx/SiO2, SiNx2/SiNx1, SiNx ?/Al2O3等），以及多層納米薄膜。
CME-MSE01-PV的應(yīng)用也覆蓋了傳統(tǒng)光譜橢偏儀所測量的光面基底上的單層和多層納米薄膜，典型應(yīng)用包括：半導(dǎo)體（如：介電薄膜、金屬薄膜、高分子、光刻膠、硅、PZT膜，激光二極管GaN和AlGaN、透明的電子器件等）、平板顯示（TFT、OLED、等離子顯示板、柔性顯示板等）、功能性涂料：（增透型、自清潔型、電致變色型、鏡面性光學(xué)涂層，以及高分子、油類、Al2O3表面鍍層和處理等)、生物和化學(xué)工程（有機(jī)薄膜、LB膜、SAM膜、蛋白子分子層、薄膜吸附、表面改性處理、液體等）等。
技術(shù)指標(biāo):
項目 | 技術(shù)指標(biāo) |
光譜范圍 | 240nm-930nm（絨面測量時為350-850nm） |
單次測量時間 | 10s,取決于測量模式 |
膜厚測量重復(fù)性（1） | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率精度（1） | 1x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
入射角度 | 40°-90°自動調(diào)節(jié) |
光學(xué)結(jié)構(gòu) | PSCA（Δ在0°或180°附近時也具有的準(zhǔn)確度） |
樣品臺尺寸 | 一體化樣品臺輕松變換可測量單晶或多晶樣品 |
兼容125*125mm和156*156mm的太陽能電池樣品 | |
樣品方位調(diào)整 | Z軸高度調(diào)節(jié)：±6.5mm |
二維俯仰調(diào)節(jié)：±4° | |
樣品對準(zhǔn)：光學(xué)自準(zhǔn)直顯微和望遠(yuǎn)對準(zhǔn)系統(tǒng) | |
軟件 | ?多語言界面切換 |
?太陽能電池樣品預(yù)設(shè)項目供快捷操作使用 | |
?安全的權(quán)限管理模式（管理員、操作員） | |
?方便的材料數(shù)據(jù)庫以及多種色散模型庫 | |
?豐富的模型數(shù)據(jù)庫 |
注：(1)測量重復(fù)性：是指對標(biāo)準(zhǔn)樣品上同一點(diǎn)、同一條件下連續(xù)測量30次所計算的標(biāo)準(zhǔn)差。
