CVD石墨烯生長爐專門針對于用在金屬箔上生長薄膜物質,如石墨烯、使用時把金屬箔附在內管上。其工作溫度可以達到1200℃,專門針對于用CVD方法在金屬箔上生長薄膜物質,如石墨烯、太陽能電池的電極材料和電池電極材料等。
石墨烯生長爐由HTTF1200+真空系統(tǒng)+供氣系統(tǒng)+水冷系統(tǒng)組成 ,溫度可以達到1200度,可以是單溫區(qū)、雙溫區(qū)、三溫區(qū)等,極限真空可以達到10-3Pa,供氣系統(tǒng)是流量調節(jié)可以是質子流量計或浮子流量計,混氣路數(shù)可以是2路、3路、4路、5路相混合。
石墨烯生長爐是一種特殊的CVD系統(tǒng)(化學氣相沉積系統(tǒng)),是專門為在金屬箔(像銅箔、鋁箔等)上生長薄膜而設計,廣泛應用在新一代能源關于柔性金屬箔電極方面的研究上,特別適用于碳納米管、碳納米線、石墨烯的生長。
HTTF-1200真空管式爐采用摻鉬合金加熱絲為加熱元件,采用雙層殼體結構和宇電控溫儀表,能進行30段程序控溫,移相觸發(fā)、可控硅控制,爐膛采用日本進口氧化鋁多晶纖維材料,具有溫場均衡、表面溫度低、節(jié)能等優(yōu)點。
真空管式爐軟件控制系統(tǒng):該爐配有通訊接口和軟件,可以直接通過電腦控制爐子的各個參數(shù),并能從電腦上觀察到爐子上PV和SV溫度值和儀表的運行情況,爐子的實際升溫曲線電腦會實時繪出,并能把每個時刻的溫度數(shù)據(jù)保存起來,隨時可以調出。
產(chǎn)品名稱 | 石墨烯生長爐(納米管生長爐) |
產(chǎn)品型號 | HTTF-1200-CVD |
管式爐 | |
加熱區(qū)長度 | 440mm |
恒溫區(qū)長度 | 150 (+/-1 ℃) |
工作溫度 | 1100℃(此溫度為長期加熱溫度) |
溫度 | 1200℃ |
爐管尺寸 | Φ60×1440mm |
等離子射頻電源 | |
輸出功率 | 5 ~500W ± 1% . |
射頻頻率 | 13.56 MHz ±0.005% . |
反射功率 | 約200W |
阻抗匹配 | 自動 |
機組(雙極旋片泵) | |
真空度 | 10-3torr |
波紋管 | KFD25 快接,不銹鋼波紋管,手動擋板閥與法蘭,真空泵相連. |
質量流量計 | |
四通道控制 | 精度0.02% 、數(shù)字顯示、自動控制、 一個混氣罐、底部裝有泄廢液口 |
MFC 1范圍 | 0~100 sccm |
MFC 2和3 | 0~500 sccm |
進氣接口 | 1/4NPS |
出氣接口 | 1/4NPS |
水冷系統(tǒng) | |
水冷法蘭要求 | 水流量 >= 10L/M ,配有專業(yè)水冷機組 |
石墨烯生長爐標準配件:
質子混氣系統(tǒng)1臺、雙旋機械泵1臺、水冷系統(tǒng)1臺、K型熱電偶1支、氣煉石英爐管1根、不銹鋼法蘭1套、不銹鋼爐鉤1、剛玉爐塞2對、高溫手套1副、剛玉坩堝2個、說明書1份.