產(chǎn)品概述
單晶硅差壓變送器是采用單晶硅壓力傳感器技術(shù)。單晶硅壓力傳感器位于金屬本體頂部,遠離介質(zhì)接觸面,實現(xiàn)機械隔離和熱隔離;玻璃燒結(jié)一體的傳感器引線實現(xiàn)了與金屬基體的高強度電氣絕緣,提高了電子線路的靈活性能與耐瞬變電壓保護的能力。這些的單晶硅壓力傳感器封裝技術(shù)確保了單晶硅差壓變送器可從容應對的化學場合和機械負荷,同時具備較強的抗電磁力,足以應對復雜的工業(yè)環(huán)境應用。
產(chǎn)品特點
◆單晶硅差壓傳感器技術(shù)
◆雙膜片過載結(jié)構(gòu),從容應對高過載考驗
◆用集成電路與表面封裝技術(shù)的信號變送模塊,性能強大的24位ADC實現(xiàn)高精度與快速應答
◆顯示模塊可355°旋轉(zhuǎn),按鍵參數(shù)操作功能友好
◆按鍵參數(shù)設(shè)置不影響電氣防護等級,安全、快捷
◆高性能單晶硅差壓變送器
◆堅固優(yōu)質(zhì)的不銹鋼過程法蘭,超厚的加強結(jié)構(gòu),高靜壓、過載的強大保障
產(chǎn)品參數(shù)◆測量范圍: 200Pa - 10MPa
◆輸出信號: 4-20mA,4~20mA/HART
◆參考精度: 0.2% URL
◆介質(zhì)溫度: -40-120℃,
◆測量介質(zhì):液體、氣體或蒸汽
◆電源: 4~20mA兩線制,電源: 10.5-55vdc
◆4~20mA+HART 兩線制,電源: 16.5-55vdc
◆膜片材質(zhì):316L不銹鋼,哈氏合金C
◆年穩(wěn)定性: ±0.2% URL/5年
◆過程連接: M20*1.5(M), 1/2-14NPT(F), 1/4-18NPT(F)
◆防護等級: IP67