大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且穩(wěn)定的被MProbe Vis測厚儀測量。比如:氧化物,氮化物,光刻膠,高分子聚合物,半導體(硅,單晶硅,多晶硅),半導體化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS),硬涂層(碳化硅,類金剛石炭),聚合物涂層(聚對二甲苯,聚甲基丙烯酸甲酯,聚酰胺)。
測量范圍: 15 nm -50um
波長范圍: 400 nm -1100 nm
MProbe Vis薄膜測厚儀適用于實時在線測量,多層測量,非均勻涂層, 軟件包含大量材料庫(超過500材料),新材料可以很容易的添加,支持多重算法:Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA等。
測量指標:薄膜厚度,光學常數(shù)
界面友好強大: 一鍵式測量和分析。
MProbe Vis薄膜測厚儀實用的工具:曲線擬合和靈敏度分析,背景和變形校正,連接層和材料,多樣品測量,動態(tài)測量和產(chǎn)線批量處理。
性能參數(shù):
基本規(guī)格 | ||||
精度 | 準確度 | 穩(wěn)定性 | 光斑大小 | 樣品尺寸 |
0.1Å or 0.01% (greater of) | 0.2% or 10A (greater of) | stability 0.2A or 0.02% (greater of) | 2mm standard (optional to 20µm) | from 4mm |
s.d. of 100 thickness reading of 100nm SiO2/Si calibration sample | filmstack dependent | 2 sigma over 20 days (100 measurements daily) on 100nm/Si calibration sample | ||
系統(tǒng)參數(shù) | ||||
型號 | 波長范圍(nm) | 光譜儀/探測器 | 光源 | 厚度 |
Vis | 400-1100 | Spectrometer F4/Si CCD 3600 pixels/ ADC- 16 bit | Tungsten-Halogen | 15nm- 75µm |
UVVisSR | 200-1100 | Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit | Deuterium/Tungsten-Halogen | 1nm-75µm |
HRVis | 700-1000 | Spectrometer F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC- 16 bit /resolution | Tungsten-Halogen | 1µm-400µm |
UVVis-RT | 200-1000 | F4/Si CCD 2048 pixels/ ADC 16 bit/Optical Switch(Reflectance & Transmittance) | Tungsten-Halogen | 1nm-75µm |
NIR | 900-1700 | F2 Spectrometer InGaAs CCD 512 pixels: ADC- 16 bit | Tungsten-Halogen | 50nm- 85µm |
VisNIR | 400-1700 | Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and F2 InGaAs 512 pixels PDA) /ADC- 16 bit | Tungsten-Halogen | 10nm- 85µm |
UVVis-NIR | 200-1700 | Two spectrometer channels/ detectors (F4 Si 3600 pixels CCD and InGaAs 512)/ ADC – 16 bit | Deuterium/Tungsten-Halogen | 1nm-85µm |
VisXT | 800-870 | F4 spectrometer/Si 2048 pixels CCD | Tungsten-Halogen | 10µm-1400 µm |