SKJ-50CZ晶體生長爐系列是一款高質(zhì)量的CZ晶體生長爐，可針對于材料的實驗探索，也可以適用于晶體材料的生產(chǎn)。此款晶體生長爐已經(jīng)被證實可以提拉各種氧化物單晶和金屬單晶，如藍(lán)寶石、GGG, YAG, LaAlO3 , Si 和 Ge 等，zui高溫度可達(dá)2100℃，zui大可長出晶體尺寸為3英寸。

SKJ-50CZ晶體生長爐系列

· 感應(yīng)射頻功率為25KW，射頻0.2 - 20 KHz

· 提拉速度 :0.1- 20 mm/h，籽晶桿旋轉(zhuǎn)速度0 ~~ 40 RPM 

· zui大提拉行程：50CM

· zui大可熔融溫度為：2100℃

· 輸入電源：三相，380V，25KW

· 真空腔體尺寸為 ：50 cm dia. X 70 cm h，其真空度可以達(dá)到10-3 torr（用機(jī)械泵）10-5 tor（用擴(kuò)散泵）

· 冷卻水需求：

· 所需水壓 0.13~~0.18MPa    

· 所需水流量60 L/minute 

冷卻水會同多爐腔體夾層和籽晶桿

?合肥科晶材料技術(shù)有限公司成立于1997年，是美國MTI公司與中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院興辦的*。 公司目前主要從事氧化物晶體（A-Z）系列材料研發(fā)生產(chǎn)、濺射靶材制備和材料實驗室及電池研發(fā)全套設(shè)備。公司從成立之初研發(fā)高溫超導(dǎo)薄膜基片大尺寸LaAlO3單晶做起，目前MgAlO4、NdGaO3、LSAT、3英寸LaAlO3等晶體是世界供應(yīng)商。設(shè)備研發(fā)的各種高溫爐，大尺寸高溫高壓爐，熱等靜壓爐，單晶生長爐等，用于石墨烯、高通量、蒸發(fā)鍍膜、高溫超導(dǎo)薄膜、超導(dǎo)塊材和線材的制備設(shè)備，涉及新能源材料，電池制備等成套設(shè)備，并為科研工作者提供材料研究解決方案，已經(jīng)成為企業(yè)。